·信号高电平有效,兼容3.3V和5V的MCU ·下臂MOSFET源极输出 ·内置自举二极管 ·内置防直通保护 ·内置欠压保护 ·内部集成温度检测输出 ·绝缘耐压1500V
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·下臂IGBT发射极输出,内置自举二极管。 ·600V/6A三相逆变器,内置低损耗沟道栅-场截止型IGBT。 ·IGBT驱动:增强型输入滤波,上下臂互锁,高速600V电平转换,电源欠压保护,短路(过流)保护。 ·故障信号:对应于短路(过流)和VP1电源欠压故障。 ·输入接口:兼容3.3V&5V输入信号,高电平有效。 ·温度检测:负温度系数热敏电阻检测输出和IC内部检测输出。
内置高性能500V/5A MOSFET 内置自举二极管 对于负的瞬态电压具有高鲁棒性 门极驱动电压范围支持10V~20V 输入逻辑电平兼容3.3V, 5V 以及 15V 高侧和低侧均支持UVLO 内置死区避免上下管直通 内置温度采样 应用于高速风筒、风扇、电动工具等
是一款先进的汽车智能功率模块,为混合动力和电动汽车提供功能齐全、高性能的逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT的优化栅极驱动,以最大限度地减少电磁干扰和损耗,同时还提供多种模块上保护功能,包括欠压锁定、过流关断、驱动IC的热监测和故障报告。内置的高速高压集成电路仅需单电源电压,并将输入的逻辑电平栅极输入转换为正确驱动模块内部IGBT所需的高压、大电流驱动信号。每个相位都有独立的负IGBT端子,以支持各种控制算法。
CSD95491Q5MC 20V 60A SON 5 x 6mm DualCool 同步降压 NexFETTM 功率级
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SLLIMM第2系列IPM,3相逆变器,15 A、600 V短路保护IGBT
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内置高性能500V/5A MOSFET 内置自举二极管 对于负的瞬态电压具有高鲁棒性 门极驱动电压范围支持10V~20V 输入逻辑电平兼容3.3V, 5V 以及 15V 高侧和低侧均支持UVLO 内置死区避免上下管直通 应用于高速风筒、风扇、电动工具等
500V4A ASOP10封装IPM模块,无刷电机驱动
CSD95372BQ5MC 采用 Dual Cool 封装的 60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级
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CSD95472Q5MC 20V 60A SON 5 x 6mm DualCool 同步降压 NexFETTM 功率级
CSD95378BQ5MC 采用 DualCool™ 封装、带 TAO 偏移的 60A 同步降压 NexFET™ 智能功率级
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SPE05S60T-TD单通道高侧智能功率模块,SOP-23FP封装,集成600V/5A N沟道MOSFET和驱动保护电路;信号高电平有效,兼容3.3V和5V的MCU;具备完整的过流、过热、短路保护功能,适合电机驱动、电源开关、负载控制等应用
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