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特性:肖特基势垒整流器。 保护环保护。 低正向电压。 反向能量测试。 高电流能力。 极低的热阻

这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。

特性:无铅涂层,符合 RoHS 标准。高电流能力,低正向电压。环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级。湿度敏感度等级 1。适用于表面贴装应用。易于拾取和放置

DIODESTM SDM02U30LP3是一款肖特基势垒二极管,针对超低正向压降和低反向漏电流进行了优化。该器件采用超小型X3 - DFN0603 - 2封装,占位面积仅0.18mm2,封装高度极低,专为节省便携式电子设备的PCB空间而设计。

CMS04(TE12L,Q,M)

特性:适用于表面贴装应用。 易于拾取和放置。 内置应力消除功能。 低正向压降

特性:低外形封装,适合自动贴装。 过压保护保护环。 低功耗,高效率。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260°C。 后缀为“Q”的型号表示符合AEC-Q101标准。应用:低压高频逆变器。 续流

特性:小电流整流-低电压

特性:反向电压20-200V。正向电流5安培。适用于表面贴装应用。高正向浪涌电流能力。低功率损耗,高效率。内置应力消除,适合自动贴装。应用:用于低压高频逆变器。续流

这款肖特基二极管,正向导通电压VF低,确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。

特性:高效运行。 金属硅结,多数载流子传导。 超低正向压降,低功耗。 高正向浪涌电流能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260°C。应用:用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用

特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 非常适合自动组装。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达500A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:端子处+260°C/10秒。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,可靠性高

平面肖特基势垒整流器,集成保护环以提供应力保护,采用SOD323F(SC 90)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

特性:VR 40V/60V/100V。 IF(AV) 3A。 低外形封装。 适合自动贴装。 低正向和反向恢复时间。应用:高速开关应用。 电路保护

特性:适用于表面贴装应用。 高正向浪涌电流能力。 带保护环,用于过压保护。 低功率损耗,高效率。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值为260°C。应用:低压高频逆变器。 续流

该共阴极肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

特性:塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。 低功耗,高效率。 用于低压高频逆变器、续流和极性保护应用。 保护环用于过压保护。 保证高温焊接:端子在260°C下持续10秒。 产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且可提供生产件批准程序(PPAP)文件

1对共阴极

特性:优异的高温稳定性。 低正向电压。 低功耗/高效率。 高正向浪涌能力。 适合自动贴装。 符合 RoHS 指令 2011/65/EU 并符合 WEEE 2002/96/EC。应用:高频微型开关电源,如适配器、照明和板载 DC/DC 转换器

特性:高可靠性。 小功率模具类型。 低正向压降(VF)。应用:一般整流