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平面肖特基势垒整流器,集成保护环以进行应力保护,采用SOT23(TO - 236AB)小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

直流反向耐压(Vr):45V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):530mV@10A

特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低泄漏电流。 低正向压降。 完全无铅,完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 有符合汽车标准的部件(单独的数据手册)

特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 快速开关能力。 后缀“G”表示无卤部件,如CP10S45SG。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

肖特基二极管是一种具有快速开关特性和低正向电压降的半导体器件。本款肖特基二极管的最大平均正向电流(IF/A)为20A,反向击穿电压(VR/V)为80V,正向电压降(VF/V)仅为0.6V,漏电流(IR/uA)在室温下为100微安,瞬态浪涌电流(IFSM/A)可达到200A。这些特性使得该二极管适用于需要高效能和低能耗的应用中,例如高频开关电源中的整流,以及电子设备内的保护电路等场合。其快速的响应速度和低损耗特点有助于提升系统的整体性能。

特性:塑料封装具有UL可燃性等级94V-0。 阻燃环氧模塑料。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 高电流能力。 适用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用。 符合欧盟RoHS标准的无铅产品

特性:低正向电压。高电流能力。高正向浪涌能力。低功率损耗,高效率。过压保护。符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品

特性:先进的沟槽技术。 低正向压降。 低功率损耗。 高效运行。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

特性:肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 低功耗、高效率。 浪涌过载额定值达60A峰值。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 高温焊接:引脚处+260°C/10秒。 无铅表面处理;符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理,采用大面积金属-硅功率二极管。

特性:适用于表面贴装应用。 高正向浪涌电流能力。 高可靠性。 高电流能力。应用:用于低压高频逆变器。 续流

特性:塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。 阻燃环氧模塑料。 金属硅结,多数载流子传导。 低功率损耗,高效率。 高电流能力。 适用于低电压、高频逆变器续流和极性保护应用。 符合欧盟RoHS标准的无铅产品

平面肖特基势垒整流器,集成保护环以提供应力保护,采用无引脚超小型SOD1608(DFN1608D - 2)表面贴装器件(SMD)塑料封装,侧面焊盘可见且可焊接。

特性:低功耗,高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降

特性:肖特基势垒芯片。 用于瞬态保护的保护环管芯结构。 低功耗、高效率。 高浪涌能力。 高电流能力和低正向压降。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用

封装在紧凑的高效散热PowerDi5中,具有非常低的VF和出色的高温反向泄漏稳定性,适合作为整流二极管、续流二极管或阻塞二极管使用。

特性:先进的沟槽技术。 低正向压降。 低功率损耗。 高效运行。 符合欧盟ROHS 2011/65/EU指令的无铅产品

肖特基POWERMITE采用肖特基势垒原理,结合势垒金属和外延结构,实现了正向电压降和反向电流的最佳平衡。先进的封装技术提供了高效的微型、节省空间的表面贴装整流器。凭借其独特的散热片设计,POWERMITE的热性能与SMA相同,同时占地面积小50%,高度低于1.1mm,是行业内高度较低的产品之一。由于其尺寸小,非常适合用于便携式和电池供电的产品。典型应用包括AC-DC和DC-DC转换器、电池反接保护以及多个电源电压的“或”操作,以及任何对性能和尺寸要求严格的应用。

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

特性:高电流能力,低正向电压。 出色的高温稳定性。 低功耗,高效率。 高正向浪涌能力。 符合RoHS标准,无卤素。应用:开关电源应用。 便携式设备电池应用