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特性:超低正向压降。 低热阻。 超薄外形:典型高度为 1.1mm。 沟槽肖特基技术。 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料。 仅无 DAP 选项。 这些器件无铅、无卤且符合 RoHS 标准

特性:沟槽MOS肖特基技术。 低正向压降,低功率损耗。 高效运行。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为245°C(适用于TO-263AB封装)。 符合JESD 22-B106,焊锡浴温度最高275°C,持续10s(适用于TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装)。应用:用于高频转换器。 开关电源

中心抽头肖特基整流器针对高温下的低反向泄漏进行了优化。专有势垒技术允许在高达175°C的结温下可靠运行。典型应用于开关电源、转换器、续流二极管和反接电池保护。

特性:低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 高电导。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

特性:SOD-123。 低正向压降。 快速开关。 可忽略的反向恢复时间。 低反向电容。 专为表面贴装应用设计。 用于瞬态和ESD保护的PN结保护环

特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用

特性:低正向压降。 用于瞬态保护的保护环结构。 可忽略的反向恢复时间。 低电容

特性:小表面贴装类型。 高电流能力。 低反向电流和低正向电压。 高可靠性

特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级,金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:260°C/10秒。 符合RoHS指令2011/65/EU。 无卤

1A

特性:低正向电压

特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 内置应力消除,适合自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:引脚250°C/10秒

特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于表面贴装应用。 金属硅结,多数载流子传导。 低功耗,高效率。 内置应力消除,适合自动贴装。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:引脚250°C/10秒

这些肖特基势垒二极管专为高速应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面封装非常适合手持和便携式应用,节省空间。

二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):20V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):750mV@3A

共阴双肖特基二极管

特性:金属与硅整流器,多数载流子传导。 适用于低电压、高频逆变器续流和极性保护应用。 低功率损耗,高效率。 高电流能力,低正向电压(VF)。 高浪涌容量。 玻璃钝化

特性:超小型模具类型。 DFN1006-2L封装。 低正向电阻。 高可靠性。应用:低电流整流