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特性:第四代薄芯片技术,实现低正向电压和卓越的品质因数Qc*VF。 100%雪崩(UI/L)测试。 增强的浪涌电流耐受能力。 温度无关的快速开关。 低热阻。 正向电压的正温度系数。应用:功率因数校正(PFC)。 电动汽车和电池充电器

特性:Gen4 Thin Chip Technology for Low VF。 Enhanced Surge and Avalanche Robustness。 Superior Figure of Meant QC/IF。 Low Thermal Resistance。应用:Power Factor Correction (PFC)。 Electric Vehicles and Battery Chargers

特性:第四代薄芯片技术,实现低VF。 卓越的品质因数QC/IF。 100%雪崩测试。 增强浪涌电流耐受性。 温度无关的快速开关。 低热阻。应用:功率因数校正(PFC)。 电动汽车和电池充电器

特性:SiC肖特基二极管。 零反向恢复。 零正向恢复。 与温度无关的开关特性。 VF正温度系数。 极低的杂散电感。应用:焊接设备。 不间断电源(UPS)

碳化硅二极管,650V,6A

特性:极低的反向电流。 无反向恢复电流。 温度无关的开关特性。 正向电压VF具有正温度系数。 出色的浪涌电流能力。 低电容电荷。应用:开关模式电源(SMPS)。 不间断电源

特性:正温度系数。 与温度无关的开关特性。 最高工作温度为175°C。 单极器件,零反向恢复电流。 零正向恢复电流。 基本无开关损耗。应用:功率因数校正(PFC)。 太阳能逆变器

碳化硅二极管,650V,30A

整流电流IF(AV): 15A@TC=150°C 反向电压VRRM: 650V 正向压降VF: 1.8V@20A 反向电流IR: 60uA 结温TJ:-55~+175°C

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特性:极低的反向电流。 无反向恢复电流。 温度无关的开关特性。 正向电压VF具有正温度系数。 出色的浪涌电流能力。 低电容电荷。应用:开关模式电源(SMPS)。 不间断电源

特性:极低的反向电流。 无反向恢复电流。 与温度无关的开关特性。 正向电压(VF)具有正温度系数。 出色的浪涌电流能力。 低电容电荷。应用:开关模式电源(SMPS)。 不间断电源

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特性:SiC肖特基二极管。 零反向恢复。 零正向恢复。 温度无关的开关特性。 VF正温度系数。 极低的杂散电感。应用:焊接设备。 不间断电源 (UPS)

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碳化硅SiC

特性:革命性的半导体材料——碳化硅。 无反向恢复电流/无正向恢复。 温度无关的开关特性。 即使在高工作温度下也具有低正向电压。 正向电压分布紧密。 出色的热性能。应用:太阳能逆变器。 不间断电源