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特性:极低的反向电流。 无反向恢复电流。 温度无关的开关特性。 正向电压VF具有正温度系数。 出色的浪涌电流能力。 低电容电荷。应用:开关模式电源(SMPS)。 不间断电源

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

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650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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抗浪涌电流能力强、零反向恢复,碳化硅肖特基二极管

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650 V、4 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

650 V、2 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术,能够提供卓越的开关性能, 且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和卓越的热性能, 使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。

650 V、20 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进,在所有负载条件下具有更高的效率,由更低的品质因数 (Qc×VF) 实现。650 V G6碳化硅肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS 7系列,满足该电压范围内最严格的应用要求。

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代中引入)现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都能提高效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新一代 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列产品,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。