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SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:80A,Rdson:13mR

特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 优化封装,带有独立的驱动源极引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷Qrr。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

这款碳化硅场效应管(MOSFET)具有68A的最大电流承载能力(ID),能够承受高达1200V的漏源电压(VDSS),展现出了卓越的耐压性能。其导通电阻(RDSON)仅为40毫欧,意味着在导通状态下能有效减少能量损耗,提升系统的整体效率。作为一款N沟道类型器件,它适用于要求严苛的电源转换场景中,如高性能计算设备的电源模块、消费电子产品中的开关电源等,能够提供可靠的高频开关性能。

SIC MOSFET 1700V20mΩ

特性:- VDSS = 1200 V,TVj = 25°C。 IDDC = 69 A,TC = 100°C。 RDSS(on) = 17 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200°C。 短路耐受时间 2 μs。应用:- 通用驱动器(GPD)。 电动汽车充电

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特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源

SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:90A,Rdson:15mR

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 EV电池充电器

N沟道,1200V,17A,160mΩ@18V

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特性:低导通电阻。 快速开关速度。 快速反向恢复。 易于并联。 易于驱动。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 DC/DC转换器

特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 -太阳能串逆变器和太阳能优化器

特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源极引脚的优化封装。 漏极和源极之间有8mm爬电距离。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

特性:典型导通电阻RDS(on) = 20 mΩ。超低栅极电荷QG(tot) = 220 nC。低电容高速开关(Coss = 258 pF)。100%雪崩测试。AEC-Q101认证且具备PPAP能力。该器件无卤化物,符合RoHS豁免7a,二级互连无铅。应用:汽车车载充电器。电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器

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特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)。 无卤,符合 RoHS 标准。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

SiC MOSFET,1200V, 160mΩ@15V