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200mA表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOT23(标准)封装,具有低开启电压和快速开关能力。该二极管设计有PN结保护环,可实现瞬态和静电放电(ESD)保护,完全采用无铅表面处理,符合RoHS标准,是“绿色”器件。

肖特基二极管是一款具备高速开关特性的半导体器件,适用于高频电路中。该型号二极管具有10A的正向电流(IF/A),最大可承受45V的反向电压(VR/V),在正向导通状态下的电压降仅为0.53V(VF/V),有效降低了能量损耗。在反向偏置条件下,其漏电流(IR/uA)控制在150微安以下,保证了电路的稳定性。此外,瞬态峰值电流(IFSM/A)可达150A,使其能够在高脉冲负载下稳定工作。此款二极管凭借其优异的电气性能,广泛应用于电源转换、整流以及保护电路等多个领域。

特性:适合自动贴装。 低功率损耗。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。应用:照明。 电源的快速开关整流

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

二极管配置:1个独立式 正向压降(Vf):800mV@100mA 直流反向耐压(Vr):30V 整流电流:200mA

电压:100V 电流:30A 共阴极肖特基二极管

特性:保护环芯片结构,用于瞬态保护。 低功耗,高效率。 浪涌过载额定值达100A峰值。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 无铅涂层,符合RoHS标准。 绿色模塑化合物(无卤素和锑)

在金属 - 硅功率整流器中采用肖特基势垒原理。具备采用氧化物钝化和金属覆盖层接触的外延结构。非常适合用于低压、高频开关电源;续流二极管和极性保护二极管

肖特基二极管适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。

电压:100V 电流:40A 共阴极肖特基二极管

1对串联

该器件为单整流器,具有低正向压降(VF)和出色的高温稳定性。此器件非常适合用于一般整流应用。

特性:极低的正向电压。 高电流能力。 高正向浪涌能力。 低功耗,高效率。 过压保护。 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品

芯片采用外延沟槽结构,具有极低的导通压降,适用于开关和续流电路。

特性:非常薄的外形。 典型高度为0.95mm。 适合自动贴装。 沟槽MOS肖特基技术。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。应用:高频逆变器。 续流

特性:低正向压降。 快速开关。 超小表面贴装封装。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件

平面肖特基势垒整流器,集成保护环用于应力保护,封装在SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装中。

公开页面暂无产品说明。

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是一款采用SOD-323表面贴装封装的硅肖特基二极管,专为需要低正向压降的快速开关应用而设计。