该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1700V超高电压、中等电流应用设计。额定电流5A,适用于严苛环境下的电源转换、逆变器和高压开关电路,具有卓越的高温稳定性、低导通电阻及快速开关特性,是现代电力电子设备的理想组件。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闭锁。 无卤,符合 RoHS 标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源
FUXINSEMI(富芯森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOS,封装:TO-247,N场,电压:650V,电流:44A,10V内阻:0.063Ω,功率:150W,CissTyp:1050pF
Cmos(广东场效应半导体)TO-247
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XNRUSEMI(新锐)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:45A,Rdson:45mR
Siliup(矽普)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SIC MOSFET 1200V40mΩ
SICHAIN(清纯)TO-263-7L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关模式电源
FUXINSEMI(富芯森美)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:50A,Rdson:35mR
Siliup(矽普)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:高阻断电压与低导通电阻。 高速开关与低电容。 具有低反向恢复的快速本征二极管(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 照明
SUPSiC(国晶微半导体)TO247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力,漏源电压额定值为650V,导通电阻典型值为26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性,在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的电力管理模块。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流(ID)和650V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))低至20mΩ,适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至+25V,具备良好的开关特性与热稳定性,能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗,适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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该N沟道碳化硅MOSFET具有84A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻低至26mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效,同时简化散热设计。
HXY MOSFET(华轩阳电子)T2PAK
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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本款N沟道场效应管(MOSFET)具备高耐压与低导通电阻特性,适用于多种高效能电力电子应用。其主要参数包括:漏极电流ID为32A,漏源击穿电压VDSS高达1200V,导通电阻RDON为75mΩ,能够在高压环境下实现较低的功率损耗。该器件具备良好的热稳定性和耐用性,适合用于开关电源、逆变器、高精度电机控制电路以及各类中高功率转换系统中,适用于对电气性能和可靠性有较高要求的设计场景。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅MOSFET产品,N沟道,耐压:650V,100°C电流:120A,RDOSN:10mR
Siliup(矽普)TOLL-8
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管(MOSFET),具有优异的导电能力和高效的开关特性。其额定漏极电流ID为32A,导通电阻RDON低至75mΩ,能够有效降低功率损耗并提升系统效率。碳化硅材料赋予器件高击穿电压与良好的高温工作性能,适用于高频、高压电源转换场合,如新能源发电、储能设备及智能电力系统中的关键开关单元。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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本款碳化硅N沟道场效应管(MOSFET)具备优异的电学性能,漏极电流ID为68A,漏源击穿电压VDSS达1200V,导通电阻RDON仅为40mΩ,支持高效、低损耗的电力传输。基于碳化硅材料的优势,该器件具备更高的热稳定性和开关效率,适用于高频率、高功率电源转换系统,如高效能适配器、储能设备、智能电网以及精密电子控制模块等应用场景。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-263-7L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:Typ. RDS(on) = 29 mΩ @ VGS = 18 V。 Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 107 nC)。 High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 106 pF)。应用:Solar Inverters
onsemi(安森美)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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本款碳化硅场效应管(MOSFET)采用N沟道结构,具备高电流承载能力,最大连续漏极电流(ID)可达165A,漏源击穿电压(VDSS)为1200V,确保在高压环境下稳定工作。导通电阻(RDON)低至13mΩ,有效降低导通损耗,提高系统效率。器件基于碳化硅材料打造,具备优异的热稳定性和开关性能,适用于高频率、高效率电力转换场景,如电源模块、储能系统及智能电网中的功率调节装置。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 易于并联,驱动简单。 雪崩耐用性。 抗闩锁。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关模式电源
SUPSiC(国晶微半导体)TO-247-3
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HUAKE(华科)TO-220F
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