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耐压:750V 电流:10A N 型 碳化硅 场效应管

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压为650V,连续漏极电流达15A,导通电阻为260mΩ,有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围-5V至+16V,支持稳定的栅极驱动与器件控制。基于碳化硅材料的特性,该器件具备优异的高温工作能力、高频开关性能及抗热失效特性,适用于高功率密度电源系统。典型应用场景包括高效开关电源、不间断电源(UPS)、可再生能源逆变装置、高密度电源适配器以及储能系统的功率转换电路。

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压(VDSS)和20A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻为160mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统能效。栅源电压范围-5V至+16V,支持稳定驱动与过压保护。碳化硅材料赋予器件优异的高频开关特性、高温工作稳定性及快速响应能力,适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括大功率开关电源、可再生能源发电逆变单元、储能系统功率模块及高密度电力变换装置,满足对小型化、高可靠性和低损耗的电路需求。

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和9A的连续漏极电流能力,导通电阻(RDS(ON))为260mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性,器件在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗,并具有良好的高温工作稳定性。适用于高效率电源、可再生能源系统及紧凑型电力转换设备等对性能和空间有较高要求的场合。

本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),具备1500V漏源耐压(VDSS)和20V栅源电压(VGS)能力,适用于高电压工作环境。其最大漏极电流为3.7A(ID),导通电阻为1000mΩ,表现出良好的电流承载能力和较低的导通损耗。该器件广泛应用于电源转换、开关电路、直流-直流变换器及高压控制电路中,适合对效率与稳定性有一定要求的电力电子系统设计。

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该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源耐压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻典型值为165mΩ,在高温与高频率工作条件下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围为-10V至+25V,确保器件在严苛环境中具备良好的开关稳定性与抗干扰能力。采用宽禁带半导体材料,显著降低开关损耗,提升系统能效。适用于高功率密度电源转换装置,如高效直流-直流变换器、太阳能逆变系统及高性能开关电源模块,满足对热性能与可靠性要求较高的设计需求。

该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为1200V高电压、大电流应用设计。额定电流36A,特别适合严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备出色的高温稳定性能、低导通电阻及快速开关速度,是现代高效能源管理的理想半导体元件。

SIC MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流:55A,Rdson:29mR

本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),具备1200V的漏源击穿电压(VDSS)和36A的额定漏极电流(ID),导通电阻(RDON)低至80mΩ,适用于高效率、高功率密度的开关电源系统。该器件采用先进工艺制造,具有优异的热稳定性和可靠性,适合用于直流变换器、逆变器及各类高频电力电子设备中,满足对性能与安全性要求较高的应用场景。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A,漏源电压耐受能力达650V,导通电阻为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺,具备低导通损耗与优异的开关性能,在高频运行条件下仍能保持较低的温升。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及紧凑型电力电子设备,能够有效支持对能效和热管理有较高要求的应用场景。

此款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET)型号ID:30A,具备1200V的漏源击穿电压VDSS,确保在高电压环境下的稳定性。其导通电阻RDON为75mΩ,在减少能量损耗方面表现出色,特别适用于高效能电力转换系统。栅源电压VGS范围从-4V到+18V,使得它在各种驱动条件下都能稳定工作。该产品凭借其优异的开关性能和低能耗特性,非常适合应用于高性能电源管理及转换解决方案中,是提升设备效能的理想选择。

特性:VDSS = 1200 V(TVj = 25°C时)。 IDDC = 10.5 A(Tc = 100°C时)。 RDS(on) = 181.4 mΩ(VGS = 18 V,TVj = 25°C时)。 极低的开关损耗。 过载运行可达TVj = 200°C。 短路耐受时间2 μs。应用:EV充电。 在线UPS/工业UPS

这款工业级碳化硅N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为高电压、大电流应用设计。额定击穿电压1200V,连续电流可达32A,尤其适用于电源转换器、电机驱动及工业逆变系统,具备卓越的高温稳定性和低损耗特性,是严苛环境下高效能电力管理的理想选择。

这款N沟道碳化硅场效应管(MOSFET),型号ID:49A,具有650V的漏源击穿电压VDSS,适用于需要高耐压保护的应用场景。其导通电阻RDON仅为45mΩ,有助于减少功率损耗,提高能效。栅极源极电压VGS范围为-4V至+18V,确保了宽范围的操作条件下的稳定性与可靠性。此款MOSFET凭借其卓越的开关性能和低能耗特性,非常适合应用于高效电力转换系统,如高端电源管理和可再生能源设备中,是实现高性能、低维护解决方案的关键组件。

SiC MOSFET产品,N沟道,耐压:650V,电流:75A,Rdson:25mR

这款碳化硅场效应管(MOSFET)属于N沟道类型,具有49A的连续电流能力(ID),并在阻断电压(VDSS)方面能达到650V。其导通电阻(RDSON)仅为33毫欧,适用于要求高效能与高频率操作的应用中。该器件工作在栅源电压(VGS)范围从-5V至+20V之间,能够在多种电路设计中作为开关元件或放大器使用,尤其适合需要高压、大电流及低损耗特性的电子产品。

该N沟道碳化硅MOSFET支持99A的连续漏极电流,漏源击穿电压为650V,导通电阻为26mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性,适合用于对动态响应和热管理要求较高的电力电子应用中。

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