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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流能力,导通电阻(RDS(on))为550mΩ,在栅源驱动电压范围-8V至+20V(VGS)内可靠运行。得益于碳化硅材料的物理特性,器件在高电压、高频率工作条件下表现出较低的开关与导通损耗,适用于对效率、体积及热性能有严苛要求的电源转换系统。

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为550mΩ,适用于高电压、中等电流的功率开关场景。其栅源电压范围(VGS)为-8V至+20V,支持宽幅驱动信号,有助于提升系统可靠性与抗干扰能力。碳化硅材料带来的低开关损耗与高热稳定性,使其适合用于高频电源、光伏逆变器、储能系统及对效率和体积有较高要求的电力电子装置中。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为550mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V(VGS)内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性,适用于高效率、高频率的电源转换场景,其低导通损耗与高耐压能力有助于提升系统整体性能,适合对能效和热管理有较高要求的应用环境。

本产品为N沟道增强型场效应管(MOSFET),适用于高耐压、中功率开关应用。其主要参数包括:最大漏极电流ID为3.7A,漏源击穿电压VDSS高达1500V,导通电阻RDON为1000mΩ,栅源电压VGS为±20V,具备良好的开关特性和热稳定性。该器件可广泛应用于电源转换器、适配器、LED照明驱动、家用电器控制电路等场景,满足高频开关和高效能电力传输的设计需求。

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)为260mΩ,有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高击穿场强与优良热导率,该器件可在较高结温下可靠运行,具备优异的开关特性与耐压能力。适用于高频率、高效率的电力转换应用,如不间断电源、高压直流变换器、太阳能发电系统中的功率模块以及紧凑型高功率电源装置。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V,支持宽范围驱动条件下的可靠运行。碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性和快速开关能力,在高频、高效率的电源拓扑中可有效降低能量损耗,适用于通信电源、数据中心供电系统及可再生能源转换设备等对性能与可靠性要求较高的场合。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和9.3A的连续漏极电流(ID),在25°C条件下导通电阻(RDS(on))为410mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V,适用于需要高效率与高耐压能力的功率转换场景。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温稳定性和开关性能,适合用于对能效和体积有较高要求的电源管理系统中。

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),在25°C条件下导通电阻(RDS(ON))为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V,适用于高电压、高效率的功率转换场景。器件采用碳化硅材料,具有优异的热稳定性和开关性能,能够在高频工作条件下保持较低的导通与开关损耗,适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压(VDSS)为800V,连续漏极电流(ID)达10.2A,导通电阻(RDS(ON))为550mΩ。其栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V,支持较宽的驱动电平,有助于提升开关稳定性和抗干扰能力。得益于碳化硅材料特性,器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中的关键开关环节。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和6.8A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))典型值为460mΩ,支持-4V至+18V的栅源电压范围(VGS)。器件基于碳化硅材料,具备优异的耐压性能与热导特性,开关速度快,反向恢复损耗低。适用于高效率、高频率的功率变换应用,如大功率开关电源、高密度DC-DC转换器、光伏逆变模块及储能系统中的功率级设计,有助于提升能效并减小系统体积。

SiC MOSFET,1700V, 1000mΩ

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为550mΩ。其栅源电压(VGS)范围为-8V至+20V,支持负压关断以增强抗误导通能力。器件基于碳化硅材料,在高频开关条件下可显著降低开关损耗,并具备优异的高温工作特性,适用于高效率电源、光伏逆变器、储能系统及高功率密度电力电子装置中的主开关或同步整流功能。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V,适用于高效率、高频率的功率转换场景。碳化硅材料特性使其在高温和高压条件下仍能保持稳定性能,适合用于对可靠性与能效要求较高的电力电子系统中,如电源适配器、光伏逆变器及高频开关电源等应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流能力,导通电阻(RDS(on))为550mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V,支持较宽的驱动电平,有助于提升开关可靠性并抑制误触发。碳化硅材料特性使其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类对体积与能效有较高要求的电力电子装置。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),在高温或高频工作条件下表现出优异的稳定性。其导通电阻(RDS(on))为550mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统效率。栅源电压范围为-8V至+20V(VGS),支持较宽的驱动电压窗口,增强了与不同驱动电路的兼容性。器件采用碳化硅材料,具备高热导率和低开关损耗特性,适用于对能效和功率密度要求较高的电力电子应用场合。

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和6.8A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至460mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-4V至+18V,具备良好的开关特性与热稳定性。基于碳化硅材料的特性,器件支持高频工作,有效降低开关损耗,适用于高密度电源系统,如高效开关电源、DC-DC转换模块及高功率密度适配器等场景,可提升系统整体能效与可靠性。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为800V,连续漏极电流(ID)达10.2A,导通电阻(RDS(on))为550mΩ,栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具有优异的高温稳定性和高频开关能力,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))低至110mΩ,有助于降低导通损耗并提升系统能效。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定的驱动控制与过压保护。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性,器件具备优异的高温工作稳定性、快速开关能力及抗雪崩性能。适用于高频率功率变换电路、高效能源转换装置、不间断电源系统以及要求高耐压、低损耗的电力电子拓扑结构中的核心开关应用。

本款碳化硅N沟道场效应管(MOSFET)具有1200V的漏源击穿电压(VDSS),支持7A连续漏极电流(ID),导通电阻为320mΩ(RDON),在高压与高频应用中表现出色。基于碳化硅材料的优势,该器件具备更高的热稳定性和更低的能量损耗,适用于电源转换、新能源设备及高效率电路设计。其优异的开关性能和耐压能力,使其在复杂电磁环境中仍能保持可靠运行。

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压(VDSS)和11A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为165mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具有优异的高温稳定性和开关性能,适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效,适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子应用中。