Clestek · 电子元器件型号库
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本款N沟道场效应管(MOSFET)具备良好的高压与高电流工作特性,适用于多种功率控制场景。其主要参数包括:漏极电流ID为36A,漏源击穿电压VDSS达1200V,导通电阻RDON为80mΩ,可在较高电压条件下实现稳定的开关操作与较低的能量损耗。器件设计注重可靠性和耐久性,适合应用于电源转换装置、储能系统、电子负载管理及各类高效能电路中,满足对高压功率器件的多样化需求。
特性:极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 坚固的体二极管,适用于硬换向。应用:能源生产。 太阳能串式逆变器和太阳能优化器
该碳化硅MOS元件,专为高能效电源转换优化,耐压高至650V,确保卓越的电路保护。内阻低至45毫欧最大值,有助于提升能效,减少热产生。49安培的最大电流承载,针对中流应用精心设计,完美融合了功率与效率,是打造新一代绿色电子设备的优选组件。
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为73A,漏源击穿电压达650V,导通电阻低至26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料,具有优异的高频开关能力与热稳定性,在高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中可实现较低的导通与开关损耗,适用于对电气性能和可靠性要求较高的应用场景。
该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压,导通电阻低至26mΩ,适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至+25V,具备良好的开关特性与热稳定性。器件结构利用碳化硅材料优势,在高频工作条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为73A,漏源电压耐受能力达650V,导通电阻典型值为26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料,具备优异的高频开关性能和较低的导通损耗,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子装置等场景,在提升系统整体能效的同时有助于减小散热设计负担。
采用英飞凌20多年来开发的碳化硅技术,利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合,适用于高温和恶劣操作,可实现最高系统效率的简化和经济高效的部署。
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为26mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的物理特性,器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽栅压范围增强了驱动兼容性,同时低导通电阻有助于减少发热,提升系统整体可靠性与紧凑性。
该碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻,结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管(MOSFET),具备优异的导通与开关性能。其最大连续漏极电流ID可达165A,漏源导通电阻RDON低至13mΩ,有效降低导通损耗,提高系统效率。采用碳化硅材料,具备高耐压、高热导率和低开关损耗特性,适用于高功率密度和高频开关场景。可广泛用于高效电源转换系统、可再生能源设备及智能电网相关电路中,提供稳定可靠的电力控制与传输解决方案。
特性:推荐使用18V栅压驱动。 高压、低导通电阻。 高速、寄生电容小。 高工作结温。 快速恢复体二极管。 开尔文连接驱动。应用:EV主驱逆变器。 光伏逆变器
碳化硅
SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:5.3A;VGS:±22V;VTH:3.1V;RDS(ON):1Ω;PD:28W
碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和15A的额定漏极电流(ID),导通电阻(RDON)为260mΩ,在高温与高电压工况下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围-5V至+16V,支持可靠驱动与稳定开关操作。基于碳化硅材料的高热导率与耐压特性,该器件适用于高频率、高效率的电力转换系统,如高效电源适配器、储能系统中的能量变换模块、直流电源供应单元及新能源发电中的功率调节装置,适合对功率密度和系统效率有严苛要求的应用场景。
本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压(VDSS)和15A连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)为260mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压范围-5V至+16V,支持稳定驱动与过压保护。采用碳化硅材料,具备优异的高频开关性能和高温工作能力。适用于高效率电源转换系统,如大功率开关电源、光伏逆变单元、储能系统中的DC-DC变换器以及高性能电机驱动电路,有助于提升系统能效与功率密度,满足紧凑型高功率应用需求。
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))典型值为260mΩ,支持-5V至+16V的栅源电压范围。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的耐高压与高温能力,开关损耗低,适用于高频率、高效率的电力转换电路。典型应用包括高效电源适配器、不间断电源、可再生能源发电逆变装置及高功率密度DC-DC变换器,有助于提升系统能效与功率密度。
SIC MOS,封装:TO-252,电压:650V,电流:11A,10V内阻:0.28欧,功率:70W,Cisstyp:280pF
本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))低至260mΩ,可有效减少导通损耗,提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V,确保栅极驱动的稳定性与安全性。依托碳化硅材料的高临界电场和热导率优势,该器件支持高频开关操作,具备出色的热稳定性和耐压能力,适用于高功率密度电源转换装置,如高效开关电源、高压直流变换器及可再生能源发电系统的逆变单元。
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