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该N沟道碳化硅MOSFET具备5.3A的连续漏极电流,最大漏源电压为650V,导通电阻为820mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+19V。采用碳化硅材料,器件在高耐压基础上实现了较低的导通损耗,并具有良好的高温稳定性和快速开关能力。适用于对体积、效率及热性能有较高要求的电源转换系统,尤其适合高频运行环境下的功率开关应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和3.9A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为1555mΩ。栅源电压范围为-8V至+20V,适用于对开关效率和热性能有较高要求的电力电子场景。其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗并提升系统整体能效,适合用于高频、高效率的电源转换架构中。

耐压:800V 电流:7A N 型 碳化硅 场效应管

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和3.9A的连续漏极电流(ID),在25°C下典型导通电阻(RDS(on))为1555mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V,确保器件在多种驱动条件下稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性,该器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。

本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和15A的额定漏极电流(ID),导通电阻(RDON)典型值为260mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性,该器件适用于高频、高效率的功率变换场景,如大功率开关电源、高密度AC-DC/DC-DC转换模块、可再生能源发电中的逆变系统以及高要求的电源适配与能量传输单元,有助于提升系统能效和功率密度。

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的高温工作能力与高频开关性能,反向恢复损耗显著降低。适用于高效率直流-直流转换器、不间断电源系统、光伏逆变单元及高功率密度电源模块,能够在高电压、高频率工作条件下提升整体能效,满足先进电力电子系统的严苛设计需求。

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,适用于高效率、高频率的电力转换场景。其栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定的开关操作。得益于碳化硅材料的特性,器件具备优异的耐高温和耐高压性能,可显著降低开关损耗,提升系统整体能效。典型应用包括高效开关电源、太阳能逆变系统及高密度功率模块等对性能要求严苛的领域。

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为4.2A,最大漏源电压达650V,导通电阻为1555mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,在高电压应用中展现出良好的耐压能力和热稳定性。其相对较高的导通电阻适用于对开关速度和损耗要求适中的场合,适合用于中小功率的电源管理、适配器及高效率转换模块等场景,能够在有限空间内实现可靠的功率控制。

该N沟道碳化硅MOSFET具有900V的漏源击穿电压(VDSS)和11A的连续漏极电流(ID),在25°C条件下导通电阻(RDS(ON))为712mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V,适用于高电压、高效率的功率转换场景。器件利用碳化硅材料特性,在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压(VDSS)和15A连续漏极电流(ID),导通电阻为260mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V,确保器件在驱动信号下的稳定关断与导通。依托碳化硅材料的高耐压与高热导率特性,该器件支持高频开关操作,具备优异的热稳定性和耐久性。典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、光伏逆变单元、高密度电源模块及高压直流变换装置,适用于对转换效率和功率密度有较高需求的电力电子设计场景。

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性,该器件适用于高频开关环境,具备良好的热稳定性。典型应用包括高效能电源转换装置、高功率密度DC-DC变换器、不间断电源中的逆变电路,以及对能效和散热要求较高的紧凑型电力电子设备。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和5.3A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为820mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+19V,适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子场合。器件基于碳化硅材料,具备优异的高频特性和较低的开关损耗,在适配器、电源转换及高密度功率模块等应用中可实现紧凑设计与高效运行。

碳化硅MOSFET应用于新能源汽车主逆变器、光伏风电储能变流器、工业电机驱动、快充电源、轨道交通等领域

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碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压(VDSS)和15A连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定的栅极驱动控制,增强开关可靠性。基于碳化硅半导体材料,具备优异的高温工作能力、高开关频率特性和低开关损耗。适用于高功率密度电源转换系统,如高效开关电源、直流-直流变换器、不间断电源模块及可再生能源发电中的逆变装置,适合在高热应力与高频运行条件下稳定工作的应用场景。

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V,具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能,该器件可在较高温度和电压环境下可靠运行,适用于高频电源、开关模式电源、DC-DC转换器及高密度电源模块等应用场合,有助于提升系统整体能效并减小被动元件体积。