Clestek · 电子元器件型号库
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该N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压(VDSS)和20A连续漏极电流(ID),导通电阻为160mΩ,有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的高温工作能力与快速开关性能,适用于高频率、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括高压直流变换器、不间断电源系统、可再生能源发电设备中的逆变单元以及对功率密度和热管理要求较高的紧凑型电子装置。
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)为5.1A,导通电阻(RDS(ON))为820mΩ,栅源驱动电压范围(VGS)为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具备较高的耐压能力和良好的开关特性,适用于高效率电源转换、开关电源、光伏逆变器及高频电力电子系统等场景,在提升系统功率密度和降低损耗方面具有优势。
耐压:750V 电流:28A N 型 碳化硅 场效应管
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为900V,连续漏极电流(ID)为11A,导通电阻(RDS(ON))为712mΩ,栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具有优异的高频开关特性和较低的导通损耗,适用于对效率和热性能要求较高的电源转换系统,如高频开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子装置等应用场合。
该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流,漏源电压额定值为900V,导通电阻为712mΩ。栅源电压工作范围为-8V至+20V,适用于需要高耐压与可靠开关性能的场合。凭借碳化硅材料的特性,器件在高温和高频条件下仍能维持较低的导通与开关损耗,适合用于高效率电源、可再生能源转换系统及中高功率电力电子设备中的关键开关功能。
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该N沟道碳化硅MOSFET具有13A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为260mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温性能与开关特性,适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗和快速开关能力有助于提升系统整体能效,适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。
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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)、5.3A的连续漏极电流(ID)以及820mΩ的导通电阻(RDS(on))。其栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+19V,适用于多种驱动电路配置。基于碳化硅材料的特性,该器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性,适合用于高效率电源适配器、光伏逆变系统、数据中心供电模块及便携式快充设备等应用。
SIC MOSFET 650V,95mΩ
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)达9A,导通电阻(RDS(ON))为260mΩ。栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V,确保器件在多种驱动条件下稳定开关。凭借碳化硅材料的特性,其在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热性能,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及紧凑型电力电子设备中的功率管理环节。
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该N沟道碳化硅MOSFET具有14A的连续漏极电流能力,漏源电压额定值为650V,导通电阻为260mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的物理特性,器件在高频开关操作中展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源转换、光伏逆变、服务器电源及类似对能效和功率密度有较高要求的应用场景。
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力,漏源电压额定值为800V,导通电阻为165mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势,在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源转换、可再生能源系统中的功率变换模块以及对热性能和体积有严苛要求的电力电子应用。
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压,导通电阻为165mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性,在高电压应用中展现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗有助于提升整体能效,同时支持高频操作,简化外围电路设计。
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流(ID)和800V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))为165mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频、高温环境下表现出优异的开关性能与低导通损耗,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等场景。
该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流和800V的漏源击穿电压,导通电阻为165mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频开关应用。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升整体系统能效,同时减少散热设计复杂度。
该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的漏极电流能力,漏源击穿电压为800V,导通电阻为165mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性,具有优异的高频开关性能和较低的导通损耗,适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频变换器等应用场合,在提升系统效率的同时有助于降低整体热设计负担。
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和11A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为165mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,在高电压应用中展现出较低的导通损耗和优异的开关特性,同时具备良好的高温工作能力。适用于需要高效率、高频率运行的电源转换系统,可有效支持对功率密度和热管理有较高要求的电子设备。
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