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SiC MOSFET,1200V, 40mΩ@18V

本款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的漏源击穿电压(VDSS)和5A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)为800mΩ,栅源电压范围为±22V。得益于碳化硅材料的高临界电场强度和热导率,该器件具备优异的高压阻断能力、高温工作稳定性及快速开关特性,能有效降低开关损耗,提升系统能效。适用于高电压、高频率的电力转换应用,如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、光伏逆变单元及储能系统中的功率调节模块,适合对系统紧凑性与运行可靠性有较高要求的电力电子设计场景。

本N沟道场效应管(MOSFET)具有1200V的漏源电压(VDSS)与36A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)为80mΩ,适用于高耐压与大电流工作条件。器件采用成熟工艺制造,具备良好的热稳定性与开关性能,可用于电源变换器、逆变电路、电机控制模块及高效能电子负载设备中。其电气特性支持高频运作与低损耗设计,适合对系统效率和可靠性有一定要求的多种电子应用领域。

该N沟道碳化硅MOSFET支持38A的连续漏极电流,漏源击穿电压为650V,导通电阻低至95mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗,同时具备良好的热稳定性。适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统,可在高工作频率下维持高效运行。

SiC MOSFET,650V, 15mΩ

常温下耐压高达900V负载电流可达36A的碳化硅MOSFET

SiC MOSFET,1700V,45mΩ

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为32A,漏源电压耐受能力达650V,导通电阻为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗,同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及对功率密度和散热性能有较高要求的电力电子应用场合。

该碳化硅场效应管为N沟道类型,具有68A的漏极电流能力,漏源击穿电压为650V,导通电阻低至45mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率,器件在高频开关操作中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类高功率密度电力电子设备中的开关功能。

该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的连续漏极电流(ID)和650V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(ON))为26mΩ,在高电压工作条件下仍能保持较低的导通损耗。其栅源电压范围为-10V至+25V,兼容多种驱动电路设计。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关应用中展现出优异的热性能与效率,适用于对体积紧凑性及能量转换效率有较高要求的电源系统。

该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压,导通电阻为45mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料特性,器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗,同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源转换系统,如服务器电源、通信设备供电模块以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子装置。

该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为650V,导通电阻低至26mΩ,在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性,器件在高频、高效率应用场景中表现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高频开关电源等。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为36A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为75mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件依托碳化硅材料的高热导率与高击穿场强,在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于对效率和体积有严苛要求的电源转换系统。其负栅压能力有助于增强关断可靠性,提升在复杂电气环境下的运行稳定性。

该款工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为处理650V高电压、中大电流应用设计。额定连续电流高达29A,适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具备优秀的导通性能与散热效能,是现代工业和消费电子设备的理想功率半导体组件。

N沟道,漏源电压:1200V,连续漏极电流:65A,导通电阻:52mΩ@18V,耗散功率:375W,MOSFET产品,ESD防护。

特性:典型导通电阻RDS(on) = 40mΩ,栅源电压VGS = 18V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 75nC)。 低电容高速开关 (Coss = 80pF)。 100% 雪崩测试。 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅 (2LI)。应用:太阳能逆变器。 电动汽车充电站

这款碳化硅场效应管(MOSFET)具备49A的连续排水电流(ID),以及650V的最大漏源电压(VDSS),能够确保在高压环境中稳定工作。该器件导通电阻(RDSON)仅为33毫欧,在导通状态下能有效降低功耗。其栅源电压(VGS)阈值范围从-5V到+20V,提供了宽泛的控制信号兼容性。作为N沟道类型,此MOSFET适用于高频开关电源、电信设备以及其他需要高性能、高效率转换的应用中。

碳化硅MOS,高频大功率应用,低损耗

该N沟道碳化硅MOSFET具备73A的漏极电流能力,漏源击穿电压为650V,导通电阻为26mΩ,栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性,在高频开关应用中显著降低导通与开关损耗,提升系统整体效率。适用于高效率电源、光伏逆变器、不间断电源及高频电力转换设备等场景,可在高电压、大电流条件下维持稳定运行。

该碳化硅场效应管为N沟道结构,具备73A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压,导通电阻低至26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料特性,在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对功率密度和能效要求较高的电源系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高性能计算设备中的功率管理模块。