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特性:VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDDC = 102 A at TC = 100°C。 RDSS(on) = 12.2 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200°C。 短路耐受时间 2 μs。应用:EV 充电。 在线 UPS/工业 UPS

特性:典型导通电阻:在栅源电压为18V时为12mΩ,在栅源电压为15V时为15mΩ。 超低栅极电荷(Qg(tot) = 283nC)。 低有效输出电容(Coss = 424pF)。 100%雪崩测试。 结温为175°C。 符合RoHS标准。应用:开关电源。 太阳能逆变器

特性:高速开关。 极低的开关损耗。 高阻断电压和低导通电阻。 与温度无关的关断开关损耗。 无卤,符合 RoHS 标准。应用:EV 电机驱动。 PV 串式逆变器

特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。 降低开关损耗,减少栅极振铃。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

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750V 碳化硅功率 MOSFET,具备低导通电阻、高速开关、雪崩耐受特性,兼容并联驱动,采用 TO252 封装,符合无卤素 RoHS 标准,适用于太阳能逆变器、开关电源、高压 DC/DC、充电器及电机驱动等场景。

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至260mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V,确保了稳定的开关控制与驱动兼容性。采用宽禁带半导体材料,具备优异的高温工作性能与开关特性,可显著降低系统开关损耗。典型应用包括高频率DC-DC变换器、高功率密度电源模块及高效能逆变电路,适合对热管理与能效有严格要求的紧凑型电子设备。

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至160mΩ,适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至+16V,确保了稳定可靠的栅极控制。得益于碳化硅材料的特性,该器件具有优异的开关性能和高温工作能力,可显著降低系统开关损耗。典型应用包括高效电源模块、高压直流变换、可再生能源逆变装置及高密度功率转换系统,适合对热管理与能效要求严苛的设计需求。

该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压(VDSS)和11A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为712mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具有高耐压能力和良好的高温工作特性,在高频开关条件下仍能维持较低的开关损耗。适用于对效率与可靠性要求较高的电源转换系统,尤其适合空间受限但需稳定运行的高电压应用场景。

耐压:750V 电流:15.5A N 型 碳化硅 场效应管

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)低至160mΩ,可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的特性,该器件具有优异的耐高温性能和快速开关能力,适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用包括高效电源模块、可再生能源发电单元、储能系统的能量变换装置以及高密度DC-DC和DC-AC转换电路,有助于提升系统整体能效和功率密度。

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本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源电压(VDSS)与20A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻低至160mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性,该器件适用于高频、高效率的功率转换设计。典型应用包括大功率开关电源、可再生能源发电中的直流变换装置、储能系统的功率调节模块以及高密度电源适配与能量管理设备。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为800V,连续漏极电流(ID)达10.2A,导通电阻(RDS(on))为550mΩ,栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料优势,在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗,同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、光伏逆变系统、服务器电源及对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子场合。

耐压:800V 电流:20A N 型 碳化硅 场效应管

耐压:800V 电流:20A N 型 碳化硅 场效应管

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压(VDSS)和6.8A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))典型值为460mΩ,有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性,该器件可在高电压、高温环境下运行,同时保持优异的开关性能。适用于高效率电源转换系统,如大功率开关电源、不间断电源、储能系统及可再生能源逆变装置,尤其适合对功率密度和热管理有较高要求的应用场景。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压(VDSS)为800V,连续漏极电流(ID)为11A,导通电阻(RDS(on))为165mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和11A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为165mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备高耐压、低导通损耗及优异的高温稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其宽栅压范围提升了驱动兼容性,适合在高频开关条件下稳定工作,满足多种电力电子系统对高性能开关器件的需求。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和11A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为165mΩ,栅源电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效,适合用于各类高电压、中等电流的电源管理与能量转换应用。