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onsemi(安森美)TO-247-3LD
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅功率MOSFET,650 V、100 A、22 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247封装
ST(意法半导体)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,650V, 190mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,650V, 45mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO-263-7L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,650V, 45mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,650V, 45mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-220F
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,1200V, 40mΩ@18V
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SIC MOSFET 1200V40mΩ
SICHAIN(清纯)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SIC MOSFET 1200V40mΩ
SICHAIN(清纯)TO-263-7L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,1200V, 21mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)Q-DPAK
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,650V, 15mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压,VGS(th)=4.5V。 抗寄生导通能力强,可施加0V关断栅极电压。 用于硬换流的稳健体二极管。应用:驱动器。 基础设施-充电器
Infineon(英飞凌)TO-263-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:极低的开关损耗。 短路耐受时间3μs。 完全可控的dV/dt。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 抗寄生导通能力强,可施加0V关断栅极电压。 用于硬换向的坚固体二极管。应用:驱动器。 基础设施-充电器
Infineon(英飞凌)TO-263-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)TO-263-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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