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特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用:电动汽车充电。 服务器电源

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基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,该产品提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

碳化硅功率 MOSFET 650 V、55 mOhm(典型值)、40 A,采用 PowerFLAT 8x8 HV 封装

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特性:VDSS = 1200 V,TVj = -55...175°C。 IDDC = 100 A,TC = 25°C。 RDS(on) = 19 mΩ,VGS = 20 V,TVj = 25°C。应用:车载充电器

该碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代碳化硅MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻,结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

SiC MOSFET,650V, 45mΩ

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碳化硅MOS 1200V80毫欧

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SiC MOSFET,650V,15mΩ

SiC MOSFET,1200V, 32mΩ@18V

特性:革命性半导体材料:碳化硅。 针对反激拓扑进行优化。 12V/0V栅源电压,与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 完全可控的dV/dt,用于电磁干扰优化。应用:能源生产。 太阳能串式逆变器

SIC MOSFET 1200V23mΩ

SIC MOSFET 1700V40mΩ