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SiC MOSFET,750V, 11mΩ

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特性:针对高频、高效应用进行优化。 极低的栅极电荷和输出电容。 低栅极电阻,适用于高频开关。 在所有温度下均为常关操作。 超低导通电阻。应用:高频应用。 太阳能逆变器

SIC MOSFET 1200V18mΩ

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特性:典型导通电阻RDS(on) = 23 mΩ,栅源电压VGS = 18 V。 超低栅极电荷QG(tot) = 69 nC。 低电容高速开关,输出电容Coss = 153 pF。 100%雪崩测试。 无卤,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:开关电源。 太阳能逆变器

特性:VDSS = 1200 V,TVj = -55...175°C。IDDC = 31 A,TC = 25°C。RDS(on) = 80 mΩ,VGS = 20 V,TVj = 25°C。应用:车载充电器

SIC MOSFET 750V12mΩ

特性:VDSS = 1200 V,TVj = 25°C。 IDDC = 34 A,TC = 100°C。 RDSS(on) = 40 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 过载运行可达 TVj = 200°C。 短路耐受时间 2 μs。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电

特性:低导通电阻。 快速开关速度。 快速反向恢复。 易于并联。 易于驱动。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。应用:太阳能逆变器。 DC/DC 转换器

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特性:符合AEC-Q101标准。 低导通电阻。 快速开关速度。 快速反向恢复。 易于并联。 易于驱动。应用:汽车。 开关电源

特性:VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDDC = 55 A at Tc = 25°C。 RDS(on) = 39 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°C。 非常低的开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 基准栅极阈值电压,VGDS(th) = 4.2 V。应用:工业驱动器。 工业电源

特性:符合AEC-Q101标准。 低导通电阻。 快速开关速度。 快速反向恢复。 易于并联。 易于驱动。应用:汽车。 开关电源

特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源极引脚的优化封装,漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

特性:符合AEC-Q101标准。 低导通电阻。 快速开关速度。 快速反向恢复。 易于并联。 易于驱动。应用:汽车开关电源

特性:C3M SiC MOSFET技术。 高阻断电压与低导通电阻。 低电容的高速开关。 低反向恢复(Qrr)的快速本征二极管。 无卤,符合RoHS标准。 更高的系统效率。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

该系列产品具有超低导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG),可实现低传导和开关损耗。器件在 VGS = 0V 时具有常开特性和低 RDS(ON),也适用于无需主动控制的电流保护电路以及共源共栅操作。

碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 产品线提高了相对于硅 MOSFET 和硅 IGBT 解决方案的性能,同时降低了高压应用的总体拥有成本。