特性:VDSS = 1200 V at TVj = -55...175°C。 IDDC = 100 A at TC = 25°C。 RDS(on) = 19 mΩ at VGS = 20 V, TVj = 25°C。应用:车载充电器
Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:VDSS = 1200 V at TVj = -55...175°C。 IDDC = 100 A at TC = 25°C。 RDS(on) = 19 mΩ at VGS = 20 V, TVj = 25°C。应用:车载充电器
碳化硅
这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS(on),结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
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特性:低导通电阻。 快速开关速度。 快速反向恢复。 易于并联。 易于驱动。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 DC/DC转换器
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特性:漏源极电压(V_DSS) = 1200V。 额定漏极电流(I_D~nom) = 240A。 可高速开关。 高功率密度。 可高频运行。 超低损耗。应用:伺服驱动器。 UPS系统
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SiC MOSFET,1700V, 650mΩ
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SiC MOS,650V,34mR,TOLT
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