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特性:高速开关。基本无开关损耗。减少散热器需求。最高工作温度175°C。高阻断电压。具有低恢复电流的快速本征二极管。应用:功率因数校正(PFC)。太阳能逆变器

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特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 采用独立驱动源引脚的优化封装,漏源之间爬电距离为8mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷 (Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

特性:适用于高频开关和同步整流。 换向稳健的快速体二极管,低Qfr。 低RDS(on)温度依赖性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V。 推荐栅极驱动电压0 V至18 V。 .XT互连技术,实现一流的热性能。应用:开关电源。 太阳能光伏逆变器

特性:VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDDC = 98 A at Tc = 25°C。 RDSS(on) = 19 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 短路耐受时间3 μs。 基准栅极阈值电压,VGDD(th) = 4.2 V。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电

基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。

汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、40 mOhm(典型值)、30​​ A,采用 HU3PAK 封装

特性:第三代碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复 (Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。 降低开关损耗,最小化栅极振铃。应用:太阳能逆变器。 电动汽车电机驱动

这款碳化硅场效应晶体管(SiC FET)基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFET)共同封装,形成常关碳化硅场效应晶体管。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管(Si IGBT)、硅场效应晶体管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用TO247-3封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

碳化硅功率MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm(典型值,Tj = 150 C),HiP247长引线封装

碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS(on),结合低电容和非常高的开关操作,可改善应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

特性:C3MTM SiC MOSFET技术。 优化封装,带有独立驱动源极引脚。 漏极和源极之间的爬电距离为8mm。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复电荷(Qπ)。应用:EV充电器。 UPS

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这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻RDS(on),同时具备低电容和非常高的开关操作性能,可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

碳化硅

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汽车级碳化硅功率MOSFET 650 V、20 mOhm(典型值,95 A),H2PAK-7封装

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特性:Typ. RDS(on) = 20 mΩ。 超低栅极电荷:Typ. QG(tot) = 220 nC。 低有效输出电容:Typ. Coss = 258 pF。 100%雪崩测试。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力。 该器件无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车DC-DC转换器