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onsemi(安森美)D2PAK
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅
onsemi(安森美)D2PAK7(TO-263-7L-HV)
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅功率MOSFET,1200 V、45 A、90 mOhm(典型值,TJ = 150 C),HiP247长引线封装
ST(意法半导体)HiP-247
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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该碳化硅功率MOSFET器件采用先进的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的导通电阻,结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
ST(意法半导体)H2PAK-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)Q-DPAK
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅功率MOSFET,650 V、116 A、18 mOhm(典型值,TJ = 25°C),H2PAK-7封装
ST(意法半导体)TO-263-8
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅功率 MOSFET 650 V、18 mOhm(典型值)、40 A,采用 PowerFLAT 8x8 HV 封装
ST(意法半导体)PowerVDFN-8
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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碳化硅功率 MOSFET 1200 V、21 mOhm(典型值)、90 A,采用 H2PAK-7 封装
ST(意法半导体)H2PAK-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:VDSS = 1200 V at Tvj = -55...175°C。 IDDC = 202 A at Tc = 25°C。 RDS(on) = 8.7 mΩ at VGS = 20 V, Tvj = 25°C。应用:车载充电器
Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)HDSOP-16
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOS,700V,190mR,TO252-2L
HIMINGWAY(海明微)TO252-2L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,800V, 380mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,1200V, 40mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,1200V, 40mΩ@18V
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SIC MOSFET 650V,65mΩ
Bestirpower(萃锦半导体)TO247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SiC MOSFET,1200V, 80mΩ@18V
Bestirpower(萃锦半导体)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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SIC MOSFET 1200V35mΩ
SICHAIN(清纯)TO-247-4L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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