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SiC MOSFET,1200V, 40mΩ

SiC MOS,650V,20mR,TOLT

碳化硅MOSFET产品,N沟道,耐压:1200V,电流;49A,RDOSN:36mR

该N沟道碳化硅场效应管具备900V的漏源电压(VDSS)和24.9A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)低至110mΩ,适用于高电压、大电流的功率转换场景。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定的栅极驱动控制。采用碳化硅材料,显著提升器件的开关速度与耐温性能,减少开关损耗。其高效率与高频率工作能力适用于高压直流变换、大功率电源模块及对热管理要求较高的电力电子系统,适合在紧凑型高功率密度设计中实现更优的能效表现。

SiC MOSFET,650V, 25mΩ

该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻典型值为75mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效,同时减少散热设计负担。

该N沟道碳化硅MOSFET具备105A的连续漏极电流能力,漏源电压额定值为650V,导通电阻为26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性,在高频、高温工作条件下仍能维持较低的导通损耗和优异的开关性能,适用于高效率电源转换、可再生能源并网系统以及对体积与散热有严苛要求的电力电子设备。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配性与可靠性。

SIC MOSFET 750V25mΩ

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特性:典型导通电阻RDS(on) = 32 mΩ,栅源电压VGS = 18 V。 超低栅极电荷QG(tot) = 55 nC。 低电容高速开关,输出电容Coss = 114 pF。 100%雪崩测试。 该器件无卤,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:开关电源。 太阳能逆变器

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特性:典型RDS(on) = 44mΩ,VGS = 18V。 典型RDS(on) = 60mΩ,VGS = 15V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 74 nC)。 低输出电容 (Coss = 133 pF)。 100%雪崩测试。 TJ = 175°C。应用:开关电源 (SMPS)。 太阳能逆变器

特性:典型导通电阻RDS(toh) = 160 nΩ。 超低栅极电荷QG(tot) = 34 nC。 低电容高速开关,输出电容Coss = 49.5 pF。 100%雪崩测试。 结温TJ = 175°C。 无卤,符合RoHS豁免7a,二级互连无铅。应用:UPS。 DC-DC转换器

该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力,漏源电压额定值为650V,导通电阻为75mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与高热导率特性,在高频开关条件下可实现较低的导通与开关损耗。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源系统,如服务器电源、光伏逆变器及高频DC-DC转换器等场合,能够在严苛电气环境下保持稳定运行。

特性:高阻断电压,低导通电阻。 易于并联,驱动简单。 高速开关,低电容。 雪崩耐用性。 无卤,符合RoHS标准。应用:太阳能逆变器。 开关电源