SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:6A;VGS:±22V;VTH:3.2V;RDS(ON):560mΩ;PD:21W
HL(富海微)TO-220F
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
请询价确认价格 · 库存 · 交期实时核实
Clestek · 电子元器件型号库
206307 个型号已录入产品库,支持按品类、品牌、封装和型号检索。
SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:6A;VGS:±22V;VTH:3.2V;RDS(ON):560mΩ;PD:21W
SiC;1个N沟道;VDSS:800V;ID:8.7A;VGS:±22V;VTH:2.6V;RDS(ON):360mΩ;PD:28W
SiC MOS,700V,260mR,TO220-3L
公开页面暂无产品说明。
碳化硅二极管具有高耐压、高开关速度、低导通电阻等特点,适用于高温、高频、大功率等恶劣环境下的电子设备。
SiC MOS,650V,90mR,263顶部散热
公开页面暂无产品说明。
SiC MOS,1200V,120mR,TO263-7L
SiC MOSFET,1200V, 80mΩ@18V
SiC MOS,650V,34mR,TO247-3L
SiC MOS,650V,34mR,TO247-4L(HC)
SiC MOS,650V,26mR,TO263-7L
SiC MOS,650V,26mR,TO247-3L
SiC MOS,650V,20mR,TO263-7L
SiC MOS,650V,20mR,TO247-4L(HC)
SiC MOS,650V,16mR,TO247-4L(HC)
SiC MOS,1200V,16mR,TO247-4L(HC)
SiC MOS,650V,16mR,TO263-7L
SiC MOS,1200V,16mR,TO263-7L
SiC MOSFET,650V, 25mΩ
我们可以协助查找停产料替代方案,也可以按功能参数反向选型。