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本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V漏源电压(VDSS)和20A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻为165mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-10V至+25V,支持可靠的栅极驱动控制,确保开关过程的稳定性。得益于碳化硅材料的高耐压与耐高温特性,该器件适用于高频、高压的电力转换电路,如高效开关电源、高压直流变换模块及可再生能源发电中的逆变单元,能够在严苛的电气环境下保持良好的热管理与长期运行性能。

SiC MOS,650V,34mR,TO263-7L

SiC MOS,650V,44mR,TO247-4L(HC)

SiC MOS,650V,34mR,TOLL

常温下耐压高达1200V负载电流可达19A的碳化硅MOSFET

SIC MOSFET 750V60mΩ

SiC MOS,650V,26mR,TO247-4L(HC)

碳化硅

该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为36A,最大漏源电压为650V,导通电阻为75mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性,器件在高频开关操作中表现出较低的损耗和良好的热稳定性,适用于高效率电源、可再生能源逆变系统以及对功率密度和能效有较高要求的电力电子应用。

特性:高阻断电压,低导通电阻。 低电容,快速开关。 固有二极管反向恢复电荷低。应用:光伏逆变器。 充电桩

特性:高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 快速本征二极管,低反向恢复 (Qn)。应用:PV逆变器。 充电桩

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特性:G3R技术,+15V栅极驱动。 RDS(ON)与温度的相关性更平缓。 LoKing技术。应用:太阳能逆变器

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特性:新的C3M碳化硅MOSFET技术。 高阻断电压,低导通电阻。 高速开关,低电容。 带有驱动源的新型低阻抗封装。 快速本征二极管,低反向恢复(Qrr)。 无卤,符合RoHS标准。应用:可再生能源。 电动汽车电池充电器

特性:G3RTM碳化硅MOSFET技术。 卓越的QG x RDS(ON)品质因数。 低电容和低栅极电荷。 常开稳定工作,最高可达175°C。 快速可靠的体二极管。 高雪崩和短路耐用性。应用:太阳能逆变器。 电动汽车/混合动力汽车充电

该N沟道碳化硅MOSFET具备355A的连续漏极电流能力,漏源电压额定值为750V,导通电阻低至5mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与优异热导率,在高功率密度和高频开关应用中表现出极低的导通损耗与良好的热稳定性。适用于对效率、体积和动态响应有严苛要求的电源系统及能量转换装置,其宽栅压范围也增强了与多种驱动电路的兼容性。

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特性:G3R SiC MOSFET技术。 卓越的QG x RDS(ON)品质因数。 低电容和低栅极电荷。 正常关断,最高可在175°C稳定运行。 快速可靠的体二极管。 高雪崩和短路耐用性。应用:太阳能逆变器。 电机驱动器