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NCE(无锡新洁能)TO-220
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Navitas(纳微)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-3L
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器
Infineon(英飞凌)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO-247-4LP
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Infineon(英飞凌)HDSOP-22
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:G3RTM技术,采用+15V栅极驱动。 RDS(ON)与温度的相关性更平缓。 LoKingTM电磁优化设计。应用:太阳能(光伏)逆变器
Navitas(纳微)TO-263-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:VDSS = 1200 V,温度为25°C。 IDDC = 29 A,温度为100°C。 RDS(on) = 52.6 mΩ,VGS = 18 V,温度为25°C。 极低的开关损耗。 过载运行可达200°C。 短路耐受时间为2 μs。应用:电动汽车充电。 在线式UPS/工业UPS
Infineon(英飞凌)TO-263-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:G3RTM 技术。 +15 V /-5 V 栅极驱动。 卓越的 QG x RDS(ON) 品质因数。 低电容和低栅极电荷。 高 Vth 以提高系统稳定性。 快速可靠的体二极管。应用:太阳能串式逆变器。 太阳能集中式逆变器
Navitas(纳微)TO-263-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:VDSS = 1700 V at TVj = 25°C。 IDDC = 10 A at TC = 25°C。 RDSS(on) = 450 mΩ at VGS = 12 V, TVj = 25°C。 针对反激拓扑进行优化。 12 V / 0 V 栅源电压与大多数反激控制器兼容。 极低的开关损耗。应用:通用驱动器 (GPD)。 EV 充电
Infineon(英飞凌)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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采用英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。
Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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特性:G3R SiC MOSFET技术。 卓越的QG x RDS(ON)品质因数。 低电容和低栅极电荷。 正常关断,最高可在175°C稳定运行。 快速可靠的体二极管。 高雪崩和短路耐用性。应用:太阳能逆变器。 电动汽车/混合动力汽车充电
Navitas(纳微)TO-247-3
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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Infineon(英飞凌)TO-247-4
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Infineon(英飞凌)TO-247-4
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,可提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它实现了经济高效、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。
Infineon(英飞凌)TO-263-7
二极管 / 晶体管碳化硅场效应管(MOSFET)
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NCE(无锡新洁能)TO263-7LHC
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NCE(无锡新洁能)TO-247-3L
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