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特性:VDSS = 1200 V,TVj = -55...175°C。 IDDC = 205 A,TC = 25°C。 RDS(on) = 8.7 mΩ,VGS = 20 V,TVj = 25°C。应用:车载充电器

基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术构建。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够实现最高系统效率的简化且经济高效的部署。

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特性:极低的开关损耗。 无阈值导通状态特性。 宽栅源电压范围。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。应用:能源发电。太阳能串式逆变器和太阳能优化器

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基于第二代碳化硅沟槽技术,提供无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

基于英飞凌强大的第二代碳化硅沟槽技术,650V MOSFET 提供了无与伦比的性能、卓越的可靠性和出色的易用性。它能够实现具有成本效益、高效且简化的设计,以满足不断增长的系统和市场需求。

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特性:Typ. RDS(on) = 40 mΩ @ VGS = 18 V。 Ultra Low Gate Charge (QG(TOT) = 75 nC)。 High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 80 pF)。应用:Solar Inverters

特性:非常低的开关损耗。 无阈值导通状态特性 。 基准栅极阈值电压,VGS(th)= 4.5V 。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 稳健的体二极管,适用于硬换向。应用:能源发电。 太阳能串逆变器和太阳能优化器

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特性:VDSS = 1200 V at TVj = 25°C。 IDDC = 70 A at Tc = 25°C。 RDS(on) = 30 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 基准栅极阈值电压,VGDS(th) = 4.2 V。应用:通用驱动器 (GPD)。 电动汽车充电

这款碳化硅场效应管(SiC FET)器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开碳化硅结型场效应管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应管(Si MOSFET)共同封装,形成常关碳化硅场效应管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管(Si IGBT)、硅场效应管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用TO247-3封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

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汽车级碳化硅功率MOSFET,1200 V、33 A、75 mOhm(典型值,TJ = 25 C),HiP247封装

特性:VDSS = 1200 V,TVj = 25°C。 IDDC = 144 A,TC = 100°C。 RDSS(on) = 7.7 mΩ,VGS = 18 V,TVj = 25°C。 极低的开关损耗。 过载运行温度可达200°C。 短路耐受时间2 μs。应用:电动汽车充电。 在线式UPS/工业UPS