Clestek · 电子元器件型号库
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特性:典型导通电阻RDS(on) = 160 mΩ。 超低栅极电荷QG(tot) = 34 nC。 低电容高速开关,输出电容Coss = 49.5 pF。 100%雪崩测试。 符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。 无卤化物,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:汽车车载充电器。 电动汽车/混合动力汽车的汽车直流-直流转换器
汽车级碳化硅功率MOSFET,650 V、45 A、55 mOhm(典型值,TJ = 25 C),H2PAK-7封装
特性:典型RDS(on) = 44 mΩ @ VGS = 18 V。 典型RDS(on) = 60 mΩ @ VGS = 15 V。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 74 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 133 pF)。 100%雪崩测试。 TJ = 175°C。应用:SMPS (开关模式电源)。 太阳能逆变器
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特性:典型导通电阻:在VGS = 18V时为33mΩ;在VGS = 15V时为45mΩ。 超低栅极电荷 (QG(tot) = 105 nC)。 低电容高速开关 (Coss = 162 pF)。 100%雪崩测试。 结温:T_J = 175°C。 该器件无铅且符合RoHS标准。应用:开关模式电源 (SMPS)。 太阳能逆变器
汽车级碳化硅功率 MOSFET 650 V、58 mOhm(典型值)、30 A,采用 HU3PAK 封装
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这款碳化硅功率MOSFET器件采用先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS(on),结合低电容和非常高的开关操作,可提高应用在频率、能源效率、系统尺寸和重量减轻方面的性能。
碳化硅(SiC)MOSFET采用了全新的技术,与硅基器件相比,具备更出色的开关性能和更高的可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此,该系统具有诸多优势,包括实现最高效率、支持更快的工作频率、提高功率密度、降低电磁干扰(EMI)以及减小系统体积
基于英飞凌20多年来开发的固态碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料特性,提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣操作环境,能够以简化且经济高效的方式实现最高系统效率。
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碳化硅
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特性:VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C。 IDDC = 62 A at Tc = 100°C。 RDS(on) = 21.6 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C。 极低的开关损耗。 过载运行可达 Tvj = 200°C。 短路耐受时间 2 μs。应用:EV 充电。 在线 UPS/工业 UPS
特性:适用于高频开关和同步整流。换向能力强的快速体二极管,Qfr 低。RDS(on) 对温度的依赖性低。基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。推荐栅极驱动电压为 0V 至 18V。.XT 互连技术,具备一流的热性能。应用:开关电源。太阳能光伏逆变器
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特性:典型导通电阻:在栅源电压为18V时为29mΩ。 超低栅极电荷:Qg(tot)为107nC。 低电容高速开关:Coss为106pF。 100%雪崩测试。 无卤,符合RoHS指令豁免条款7a,二级互连无铅。应用:太阳能逆变器。 电动汽车充电站
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