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特性:G3R SiC MOSFET技术。 卓越的QG x RDS(ON)品质因数。 低电容和低栅极电荷。 高Vth以提高系统稳定性。 快速可靠的体二极管。 高雪崩和短路耐用性。应用:电动汽车快速充电。 太阳能逆变器

该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为650V,导通电阻低至75mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效表现,在高频率运行条件下仍可维持较低的温升,适合用于各类高效电力电子装置中。

该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压,导通电阻典型值为75mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具有优异的高温性能与开关效率,适用于对功率密度和能效要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体效率,并简化散热设计。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为800V,连续漏极电流(ID)达10.2A,导通电阻(RDS(on))为550mΩ。栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V,支持宽范围驱动条件并具备良好的栅极可靠性。基于碳化硅材料特性,器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗和优异的热稳定性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与能效有较高要求的电力电子设备中。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为550mΩ。其栅源电压(VGS)范围为-8V至+20V,适用于多种驱动电路配置,并具备良好的抗误触发能力。得益于碳化硅材料的物理特性,该器件在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗,适合用于高效率、高功率密度的电源系统,如服务器电源、光伏逆变器及储能转换设备等场景。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)为5.1A,导通电阻(RDS(on))为820mΩ。栅源驱动电压(VGS)范围为-8V至+20V,确保器件在多种驱动条件下可靠开关。凭借碳化硅材料的特性,该器件在高频工作时表现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源转换系统,如通信设备电源、光伏逆变器及高密度开关电源等场合。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)为5.1A,导通电阻(RDS(ON))为820mΩ。栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V,支持较宽的驱动电平。器件基于碳化硅材料,具备较高的开关速度与热稳定性,适用于高效率、高频率的电源转换系统,如开关电源、光伏逆变器及各类高效能电能管理模块,在注重体积紧凑与能效优化的设计中表现良好。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDON)为260mΩ,有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的高频开关性能和高温工作能力。适用于高效率、高频率的电力转换系统,如大功率开关电源、储能系统逆变器、高压DC-DC变换器及高性能电源模块,可满足对能效和功率密度要求较高的技术场景。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为800V,连续漏极电流(ID)达10.2A,导通电阻(RDS(ON))为550mΩ,栅源电压(VGS)工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,具备高耐压能力和较低的导通损耗,在高频开关条件下仍能保持良好性能。适用于对效率、热管理和体积有较高要求的电源转换与功率控制场合。

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为550mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。其结构利用碳化硅材料特性,在高电压应用中展现出较低的导通损耗与良好的热稳定性。适用于高频、高效率要求的电源转换系统,可在紧凑布局中实现可靠的功率开关功能。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源额定电压,15A的连续漏极电流能力,以及260mΩ的低导通电阻,有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性,器件具备优异的耐高温性能和快速开关能力,适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用包括高压DC-DC变换器、高效AC-DC电源模块及可再生能源发电中的逆变电路,有助于减小系统体积并提高功率密度。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和7.1A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为410mΩ。栅源电压范围为-8V至+20V,确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性,该器件在高频、高效率的电力转换场景中表现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对能效和体积有较高要求的电源系统。

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至160mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V,具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能,该器件可在高频、高温及高电压环境下可靠运行,广泛应用于电源转换、可再生能源系统、储能装置及电力传输设备中的DC-DC变换器、逆变器与功率因数校正电路,有助于提升系统整体能效与功率密度。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和10.2A的连续漏极电流(ID),在高温或高频率工作条件下仍能保持优异的开关性能。其导通电阻(RDS(ON))为550mΩ,有助于降低导通损耗,提升系统效率。栅源驱动电压范围为-8V至+20V(VGS),具备良好的栅极耐压能力,适用于对可靠性要求较高的电源转换场景。器件采用碳化硅材料,相较传统硅基MOSFET,在相同封装下可实现更小的芯片面积与更快的开关速度,适合用于高效率、高功率密度的电力电子应用中。

该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为7.1A,漏源电压耐受能力达650V,导通电阻为410mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,具备低导通损耗与优异的高频开关特性,适用于高效率电源转换、光伏逆变、不间断电源及类似对能效和热性能有较高要求的电力电子系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性,有助于简化控制电路设计。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V漏源耐压(VDSS)和20A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)仅为165mΩ,有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压(VGS)支持-10V至+25V范围,确保驱动可靠性与开关稳定性。采用碳化硅材料,具备优异的高温工作性能和快速开关特性,适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高压直流变换、大功率开关电源、可再生能源逆变系统及高密度电源模块,适合对热管理和功率密度有较高要求的电路设计。

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDS(on))低至165mΩ,适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V,支持稳定的开关控制。基于碳化硅材料特性,器件具备优异的耐高温与高频性能,适用于高压直流变换、开关电源、光伏逆变及高密度电源模块等场景,有助于提升系统整体能效与功率密度。

本N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源电压(VDSS)与20A连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)低至165mΩ,可有效降低导通损耗,提升系统效率。栅源电压范围为-10V至+25V,支持稳定栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性,器件具有优异的高温工作性能和快速开关响应能力,适用于高频率、高功率密度的电力转换电路。典型应用包括高效直流-直流变换器、大功率开关电源、光伏逆变装置及高密度电源模块,适合对热管理、转换效率和空间布局有较高要求的电力电子设计场景。

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))低至165mΩ,适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V,具备良好的栅极可靠性与开关稳定性。基于碳化硅材料特性,该器件支持高频工作,具有优异的耐温性能和较低的开关损耗,适合应用于高密度电源系统、可再生能源逆变装置及高性能直流变换模块中,有助于提升系统整体能效与功率密度。

该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为14A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为260mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具备优异的高频开关特性和较低的导通损耗,在高效率电源转换、可再生能源系统及高频开关电源等应用中表现突出。其电气参数组合支持在紧凑型设计中实现良好的热性能与能效平衡。