海量元器件型号，
快速搜索匹配。

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至160mΩ,可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V,支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的特性,器件具备优异的高频开关能力与热稳定性,适用于高功率密度的电源转换设计。典型应用包括高效直流-直流变换器、功率因数校正电路及高压电源模块,适合对能效与系统体积有较高要求的电力电子场景。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)、9.3A的连续漏极电流(ID)和410mΩ的导通电阻(RDS(ON)),栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性,器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和9A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为260mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V(VGS)内稳定工作。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温特性和开关性能,适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效,适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子应用中。

本款N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源耐压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDS(on))低至165mΩ,有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-10V至+25V,确保器件在驱动下的稳定性和可靠性。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性,该器件具备优异的高频开关性能、高温工作能力及较低的开关损耗,适用于高功率密度电源系统,如高效直流变换器、大功率开关电源模块、可再生能源发电逆变设备以及储能系统的功率转换单元。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压(VDSS)为800V,连续漏极电流(ID)达10.2A,导通电阻(RDS(on))为550mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V,具备良好的抗干扰能力和驱动兼容性。得益于碳化硅材料的物理特性,器件在高频开关条件下仍能保持较低的损耗和稳定的性能,适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热管理与空间布局要求较高的电力电子应用。

该碳化硅场效应管为N沟道结构,漏极电流ID为13A,漏源击穿电压VDSS达800V,导通电阻RDS(ON)为260mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料,具备高耐压与低导通损耗特性,适用于对效率和热管理要求较高的高频开关场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性,适合在复杂电气环境中稳定运行。

该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至165mΩ,适用于高效率功率转换设计。器件栅源电压范围为-10V至+25V,支持稳定开关操作。得益于碳化硅材料的特性,该器件具有优异的耐压能力与开关速度,适用于高频率、高功率密度的电源系统,如高效能交直流转换装置、可再生能源逆变系统及高功率密度电源模块,能够在高温与高电压环境下保持可靠性能。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和9A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为260mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至+20V,支持可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与热导率,器件在高频、高温环境下仍能维持稳定性能,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统及可再生能源相关设备。

本款N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源电压(VDSS)和24A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(on))为110mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-4V至+18V,支持稳定可靠的驱动控制。得益于碳化硅材料特性,器件具备优异的高温工作性能、高开关频率能力及较低的反向恢复电荷,适用于高功率密度与高能效要求的电力电子设计。典型应用涵盖高效电源转换模块、高压直流变换装置及可再生能源发电系统中的功率调节单元。

该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压为800V,导通电阻为165mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性,器件在高电压条件下仍能保持较低的导通损耗和优异的开关速度,适用于对效率、体积和热性能有较高要求的电源转换场景,尤其适合高频、高耐压的电力电子系统。

该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的漏极电流能力,漏源击穿电压达650V,导通电阻为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势,在高频开关应用中表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类紧凑型电力电子装置,能够在提升系统效率的同时减少对散热结构的依赖。

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和9A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为410mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高温稳定性和开关性能,适用于对效率和热管理要求较高的高频电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效,适合用于各类高密度、高效率的电力电子应用中。

该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流与800V的漏源击穿电压,导通电阻为165mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性,器件在高频、高温环境下仍能保持优异的开关性能和较低的导通损耗,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等场景。

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压(VDSS)和25A的连续漏极电流(ID),导通电阻(RDS(ON))为165mΩ,栅源电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备高耐压、低导通损耗及优异的高温工作能力,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性,同时N沟道结构便于实现高效的开关控制,在高频运行条件下仍能保持稳定性能。

该N沟道碳化硅MOSFET具有25A的连续漏极电流能力,漏源击穿电压为800V,导通电阻为165mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合。其电气参数适合用于紧凑型、高功率密度的电力电子系统中,支持稳定可靠的运行表现。

该N沟道碳化硅MOSFET具备30A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为650V,导通电阻典型值为94mΩ,在栅源驱动电压范围-10V至+25V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性,器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其高耐压与低导通电阻的结合,有助于简化散热设计并提升系统整体性能。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为25A,漏源击穿电压VDSS为800V,导通电阻RDS(ON)为165mΩ,栅源电压VGS范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性,在高电压应用中展现出优异的开关性能和热稳定性。适用于对效率、体积和散热有较高要求的电源转换场合,如高频开关电源、光伏逆变系统及高功率密度电能变换模块,能够在严苛电气环境下保持可靠运行。

该N沟道碳化硅MOSFET具有30A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为94mΩ,在栅源电压范围-10V至+25V内稳定工作。凭借碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗,适用于对效率和热管理要求较高的电力转换系统。其低RDS(on)有助于减小导通压降,提升整体能效,同时宽VGS耐受范围增强了驱动兼容性与可靠性。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A,漏源电压耐压达800V,导通电阻为165mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具备低导通损耗与优异的开关特性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备。其宽电压驱动能力增强了栅极控制的灵活性,同时在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定性能。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为9A,漏源击穿电压达650V,导通电阻典型值为260mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通电阻有助于降低导通损耗,提升系统整体能效,同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。