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该N沟道碳化硅MOSFET具备37A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压,导通电阻低至75mΩ,可在栅源电压-8V至+20V范围内可靠运行。凭借碳化硅材料的高热导率与宽禁带特性,器件在高频开关条件下仍保持较低的导通与开关损耗,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场合。其电气性能有助于简化散热设计并提升系统整体稳定性。

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流(ID)为99A,漏源击穿电压(VDSS)达650V,导通电阻(RDS(on))为26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件结合碳化硅材料特性,在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗,适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统,如服务器电源、可再生能源逆变器及高密度电力电子装置。

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流(ID)为108A,漏源击穿电压(VDSS)达650V,导通电阻(RDS(ON))为20mΩ,栅源电压(VGS)工作范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料特性,在高频开关应用中表现出优异的导通与开关性能,适用于高效率、高功率密度的电源转换系统,可有效降低能量损耗并提升整体运行效率。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为30A,最大漏源电压为650V,导通电阻为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料特性,器件在高频工作条件下具有较低的开关与导通损耗,同时具备良好的热稳定性。适用于高效率、高功率密度的电源转换系统,如服务器电源、光伏逆变器及储能设备等,有助于提升整体能效并简化热管理设计。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为84A,漏源电压耐受能力达650V,导通电阻典型值为26mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,具备低导通损耗与优异的高频开关特性,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及大功率充电设备等场合,在提升系统效率的同时有助于减小整体体积与散热需求。

该N沟道碳化硅MOSFET具备63A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压以及45mΩ的导通电阻,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料优势,在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗,同时具有良好的热导性能和稳定性,适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及对功率密度要求较高的电力电子应用场合。

该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力与650V的漏源击穿电压,导通电阻典型值为75mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性,在高频、高效率电力转换场景中展现出优异的开关性能与热稳定性,适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于简化散热设计并提升整体系统响应速度。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A,漏源电压耐受能力达650V,导通电阻典型值为45mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺,在高频开关条件下展现出优异的导通与开关性能,同时具备较低的功率损耗和良好的热稳定性。适用于对效率、响应速度及紧凑布局有明确要求的电源转换与电力电子系统。

该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压,导通电阻为44mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性。其参数组合适合用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统,能够在较高温度环境下维持稳定性能,同时宽栅压范围提升了驱动电路的设计灵活性与鲁棒性。

该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力,漏源电压额定值为650V,导通电阻为26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场和高热导率特性,在高频开关应用中可显著降低导通与开关损耗。适用于对效率、体积和散热性能有较高要求的电源转换系统,如服务器电源、光伏逆变器及高密度电力变换模块。

该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为36A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为75mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料,具备优异的高频开关特性与低导通损耗,在高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子装置中具有良好的适用性。其宽栅压范围有助于提升驱动兼容性,同时在高电压应力下保持稳定工作性能。

该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流(ID)和650V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(on))为26mΩ,栅源驱动电压范围(VGS)为-10V至+25V。其结构利用碳化硅材料特性,支持高频开关操作并降低导通与开关损耗,适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热性能和能效要求较高的电力电子应用。

该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流(ID)和650V的漏源击穿电压(VDSS),导通电阻(RDS(on))为26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。基于碳化硅材料的特性,器件在高频工作条件下展现出较低的开关与导通损耗,适用于高效率电源转换、可再生能源并网系统以及对热管理要求较高的电力电子应用。宽VGS范围增强了与多种驱动电路的兼容性。

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为70A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为44mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,在高频工作条件下展现出较低的开关与导通损耗,同时具备良好的热稳定性。其电气参数适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度的电力电子应用,宽栅压范围也有助于提升驱动兼容性与电路可靠性。

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压(VDSS)为650V,连续漏极电流(ID)达36A,导通电阻(RDS(ON))为75mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺,具备低开关损耗与高效率特性,适用于高频、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动电路的适配能力,同时在高温或高电压工作条件下仍能保持稳定性能。

该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流ID为31A,漏源击穿电压VDSS达650V,导通电阻RDS(ON)为94mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料,具备优异的高频特性和高温工作能力,适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通电阻有助于降低导通损耗,提升系统整体能效,同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。

该N沟道碳化硅MOSFET具有70A的漏极电流能力,650V的漏源击穿电压,导通电阻为36mΩ,栅源电压工作范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性,适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对体积和散热有较高要求的电力电子装置。

该N沟道碳化硅MOSFET具有36A的连续漏极电流能力,最大漏源电压为650V,导通电阻典型值为75mΩ,在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性,器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性,适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其电气参数组合使其能够在高电压、大电流条件下维持可靠运行,同时支持较宽的驱动电压窗口,便于与多种控制电路兼容。

这款碳化硅场效应管(MOSFET)具备N沟道结构,最大导通电流(ID)可达36A,在断态下能承受最高1200V(VDSS)的电压。其导通电阻(RDSON)低至80毫欧,有助于减少导通状态下的能量损耗。该器件工作在最高20V的栅源电压(VGS)下,适用于需要高电压、大电流及高效能的应用场景中,如电源转换或电力管理等领域。

该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和26mΩ的导通电阻,栅源电压范围为-10V至+25V。其采用碳化硅材料,具有优异的高频开关性能和热稳定性,在高效率电源系统、可再生能源并网设备及高频电力转换装置中可有效降低导通与开关损耗。宽栅压范围增强了驱动适应性,有助于提升系统在复杂电气环境中的可靠性与运行效率。