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10A 45V TO-277封装低VF肖特基

特性:低功耗,高效率。 保护环芯片结构,用于瞬态保护。 高电流能力和低正向压降

正反向耐压:100V 正向压(VF):750mV@10A 整流电流:10A

特性:高电流能力。 低正向压降。 低功耗,高效率。 高浪涌能力。 保证高温焊接。 安装位置:任意

特性:高电流能力,低正向电压。出色的高温稳定性。低功耗,高效率。高正向浪涌能力。符合RoHS标准,无卤素。应用:开关电源应用。便携式设备电池应用

特性:保护环管芯结构,用于瞬态保护。 低功耗,高效率。 专利联锁夹设计,高浪涌电流容量。 无铅表面处理,符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 有符合汽车标准的部件(单独的数据手册DFLS1150Q)

1对共阴极 直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):20A 正向压降(Vf):820mV@210A 反向电流(Ir):200μA@60V

特性:低外形封装,适合自动贴装。 过压保护保护环。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。应用:低压高频逆变器。 续流

VS - 30BQ040 - M3表面贴装肖特基整流器专为需要低正向压降和在印刷电路板(PCB)上占用小空间的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反接保护。

60 V、2 A低压降功率肖特基整流器

特性:低功耗,高效率。 用于瞬态保护的保护环芯片结构。 高电流能力和低正向压降

特性:低正向压降。 优异的高温稳定性。 快速开关能力。 后缀“G”表示无卤部件,例如CP10S45SG。 无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

硅肖特基二极管,适用于对封装尺寸和能效要求极高的应用。采用SOD-882L超薄无引脚封装,正向电压极低,适合对尺寸要求严苛的电池供电应用。

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平面肖特基势垒整流器,带有用于应力保护的集成保护环,采用SOD123W小型扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑料封装。

特性:适合自动贴装。 低功率损耗。 高正向浪涌能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260°C。应用:照明。 电源的快速开关整流

特性:非常低的外形-典型高度为1.0mm。 适用于自动贴装。 低正向压降,低功率损耗。 高效率。 低热阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260°C。应用:用于高频逆变器、续流、DC/DC转换器和极性保护应用。

特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 采用无空隙模塑塑料工艺。 低反向漏电流。 高正向浪涌电流能力。 保证高温焊接:250°C,距离外壳0.25英寸(6.35mm)处持续10秒

平面型最大效率通用(MEGA)肖特基势垒整流器,集成保护环以提供应力保护,采用SOD882D无引脚超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装,侧面焊盘可见且可焊接。

特性:低外形封装,适合自动贴装。 有保护环,可进行过压保护。 低功率损耗,高效率。 低正向压降。 高浪涌能力。 符合MSL 1级标准,LF最高峰值为260°C。应用:低压高频逆变器。 续流