Clestek · 电子元器件型号库
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这款碳化硅场效应管(SiC FET)器件基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开型碳化硅结型场效应管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应管(Si MOSFET)共同封装,形成常关型碳化硅场效应管器件。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管(Si IGBT)、硅场效应管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用TO-263-7封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
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这款碳化硅场效应管(SiC FET)基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开碳化硅结型场效应管(JFET)与硅金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)共同封装,形成常关碳化硅场效应管。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替代”硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)、硅场效应管、碳化硅MOSFET或硅超结器件。该器件采用D2PAK-3封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
这款碳化硅场效应管(SiC FET)基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开碳化硅结型场效应管(SiC JFET)与硅金属氧化物半导体场效应管(Si MOSFET)共同封装,形成常关碳化硅场效应管。该器件的标准栅极驱动特性使其能够真正“直接替换”硅绝缘栅双极晶体管(Si IGBT)、硅场效应管(Si FET)、碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)或硅超结器件。该器件采用TO220-3封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,与推荐的RC缓冲器配合使用时,非常适合开关感性负载,以及任何需要标准栅极驱动的应用。
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该系列产品具有超低导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG),可实现低传导和开关损耗。该器件在VGS = 0 V时具有低RDS(ON) 的常开特性,也非常适合无需主动控制的电流保护电路以及共源共栅操作。
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它基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装,以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件。采用 TO-247-4L 封装,该器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
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750V、23mΩ的G4 SiC FET。基于独特的“共源共栅”电路配置,其中常开SiC JFET与Si MOSFET共同封装,以生产常关SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替换”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件。采用TO-247-4L封装,具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性,非常适合开关感性负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
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