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650V30毫欧

氮化镓场效应管

LMG3522R030 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET

氮化镓GaN场效应管:漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):3.5A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:4.6nC

增强型650V平台16A的E-MODE氮化镓器件

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氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数,可实现极低的导通电阻RDS(on),其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷QG和零反向恢复电荷QRR。最终的结果是,该器件可以处理需要非常高的开关频率和短导通时间的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。

特性:易于使用,与标准栅极驱动器兼容。 低Qrr,无需续流二极管。 出色的Qg x RDS(on)乘积(品质因数)。 低开关损耗。 符合RoHS标准且无卤。应用:开关模式电源。 功率因数校正

特性:Gen IV技术。 JEDEC认证的GaN技术。 动态RDS(on)eff生产测试。 稳健设计,特点为: -宽栅极安全裕度。 -瞬态过电压能力。 极低QRR。应用:消费领域。 电源适配器

特性:第四代技术。 JEDEC认证的氮化镓技术。 动态RDS(on)eff生产测试。 稳健设计,特点包括: -宽栅极安全裕度。 -瞬态过电压能力。 极低的QRR。应用:消费类。 电源适配器

单管650V200毫欧

特性:超高效率。 无反向恢复。 超低QG。 超小尺寸。应用:开放式机架服务器架构。 激光雷达/脉冲功率应用

本款N沟道场效应管(MOSFET)具备17A的漏极电流(ID)和650V的漏源耐压(VDSS),适用于中高功率电源管理应用。导通电阻(RDON)为100mΩ,有助于降低导通状态下的功率损耗,提升整体能效。器件采用成熟稳定的工艺制造,具备良好的热稳定性和耐用性,可广泛应用于开关电源、直流电机驱动、LED照明控制及各类中高电压电子设备中,满足多样化电路设计需求。

28V 12W 通用GaN功放管

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氮化镓增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用 FCQFN 封装,尺寸为 5mm x 4mm。

氮化镓MOS 650V12A 140毫欧 内置驱动

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本产品为氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT),属于N沟道增强型器件,具备出色的高频开关特性和低导通损耗。主要参数包括:漏极电流ID为10A,漏源电压VDSS最高可达700V,导通电阻RDON为160mΩ,适用于高效率功率转换设计。该晶体管可广泛应用于消费类电子产品、高性能电源适配器、无线充电系统以及小型化电机驱动电路中,满足对空间与效率有较高要求的设计场景。