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DK(东科半导体)TO-220
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓GaN场效应管:漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):14A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.4nC
RealChip(正芯半导体)TO-252-2L
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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特性:超快速开关和高效率。 节省空间且高度坚固的封装。 无反向恢复电荷。 超低栅极电荷和输出电荷。 湿度等级MSL1。 工业级3x3封装。应用:电信和数据中心48V IBC。 AC-DC和DC-DC转换器的同步整流
Infineon(英飞凌)VSON-4
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Innoscience(英诺赛科)En-FCLGA-9(3.3x3.3)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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是一种无匹配的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT),工作在 28 伏电源轨上,为各种 RF 和微波应用提供通用宽带解决方案。GaN HEMT 具有高效率、高增益和宽带宽能力,使其适用于线性和压缩放大器电路。该晶体管有螺丝固定法兰和焊接封装两种封装形式。
MACOM(镁可)SMD
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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特性:增强模式晶体管。 常关功率开关。 超高开关频率。 无反向恢复电荷。 低栅极电荷,低输出电荷。 符合JEDEC标准的工业应用要求。应用:AC-DC转换器。 DC-DC转换器
Innoscience(英诺赛科)DFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓场效应管
RealChip(正芯半导体)TO-252
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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单管650V200毫欧
Tokmas(托克马斯)DFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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700V GaN 硅增强型功率晶体管,采用双扁平无引脚封装 (DFN),尺寸为 5mm × 6mm。
Innoscience(英诺赛科)DFN5x6-8
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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单管650V140毫欧
Tokmas(托克马斯)DFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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这款氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具有10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS),导通电阻仅为160毫欧姆(RDON),能够在高电压下保持较低的功耗。其栅源电压范围从-1.4伏特到+7伏特(VGS),适用于N型电路设计。该器件以其优异的开关性能和低损耗特性,非常适合于高效电源转换、消费电子产品等需要快速响应和高效率的应用场合。
HXY MOSFET(华轩阳电子)DFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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650V80毫欧
Tokmas(托克马斯)TOLT-16
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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基于硅的增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用4.0 mm x 6.0 mm FCQFN封装。
Innoscience(英诺赛科)FCQFN-25(4x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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28V, DC-8.5GHz, 12W, GaN RF Amplifier Transistor
INNOTION(英诺迅)DFN-6L(4x4.5)
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氮化镓场效应管
RealChip(正芯半导体)TO-252
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓GaN场效应管:漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7.9A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.2nC
RealChip(正芯半导体)TO-220F
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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本产品为高性能氮化镓晶体管(GaN HEMT),采用N沟道结构,具备优异的导通与开关特性。主要参数包括:最大漏极电流ID为10A,漏源击穿电压VDSS高达700V,导通电阻RDON低至160mΩ,可支持高效率、高频率的电力转换应用。该器件适用于电源适配器、无线充电、LED驱动及通信设备等领域的功率管理场景,提供紧凑设计与高效能表现的基础支持。
HXY MOSFET(华轩阳电子)TO-252-2L
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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单管650V140毫欧
Tokmas(托克马斯)DFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓场效应管
RealChip(正芯半导体)DFN-8L(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓GaN场效应管:漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):18A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:6.9nC
RealChip(正芯半导体)DFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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