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具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。集成了一个硅驱动器,可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与低电感封装技术相结合,可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在20V/ns至150V/ns之间,这可用于主动控制EMI并优化开关性能。高级电源管理功能包括数字温度报告和故障检测。GaNFET的温度通过可变占空比PWM输出进行报告,这可简化器件加载管理。报告的故障包括过热、过流和UVLO监控。

氮化镓GaN场效应管:漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4.8A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):600mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:8nC

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为您带来革新性的氮化镓场效应管,采用先进的单N沟道设计。这款器件能承受高达650V的漏源电压,适合高电压应用领域。其连续漏极电流能力达到10安培,确保高效能量传输。尤为出色的是,低至160毫欧的导通电阻,在特定栅极电压和漏极电流下,大幅降低了导通损耗,提升了系统能效。无论是追求速度还是能效的现代电子设计,它都是理想的高性能选择,助力您的创新项目迈向新高度。

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特性:超快速开关和高效率。 节省空间且高度耐用的封装。 无反向恢复电荷。 超低栅极电荷和输出电荷。 顶部散热卓越的裸片暴露设计。 防潮等级MSL1。应用:电池供电工具。 低功率开关电源

增强模式氮化镓硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。采用行业领先的创新技术,如获得专利的岛式技术和GaNpx封装。岛式技术单元布局实现了高电流管芯和高良率。GaNpx封装在小尺寸封装中实现了低电感和低热阻。底部冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结到外壳热阻。这些特性结合在一起,提供了非常高效的功率开关。

LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

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氮化镓GaN场效应管:漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):9.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):270mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:8.7nC

氮化镓GaN场效应管:漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):12.4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@10V,1A;VGS:±20 Qg:7.4nC

氮化镓场效应管

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双向硅基氮化镓增强型高电子迁移率晶体管 (HEMT),采用尺寸为 2.1 mm x 2.1 mm 的晶圆级芯片规模封装 (WLCSP)。

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是一种高效的氮化镓 (GaN) 晶体管,适用于 650 V 功率转换。它可实现更高的功率密度,支持降低系统物料清单成本,并有助于实现小型化外形。采用 200 mm (8 英寸) 晶圆技术和全自动生产线生产,具有较窄的生产公差和较高的产品质量,适用于从消费电子到工业应用等广泛领域。