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ROHM(罗姆)TOLL-8N
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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提供了一种适用于所有需要高功率密度和效率的电子系统的最佳解决方案。通过将650V增强型GaN HEMT和硅驱动器集成到罗姆原有的封装中,与传统的分立解决方案相比,显著降低了由PCB和引线键合引起的寄生电感。因此,可以实现高达150V/ns的高开关转换率。另一方面,可调的栅极驱动强度有助于降低电磁干扰,各种保护和其他附加功能提供了优化的成本和PCB尺寸。该IC设计用于适配主要的现有控制器,因此也可用于替代传统的分立功率开关,如超结MOSFET。
ROHM(罗姆)VQFN046V8080
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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RENESAS(瑞萨)/IDTTO-247-4
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RENESAS(瑞萨)/IDTTO-247-4
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数,可实现极低的导通电阻,而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的栅极电荷和零反向恢复电荷。最终结果是,该器件可以处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。
EPCSMD,6.1x2.3mm
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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本款N沟道场效应管(MOSFET)具备10A连续漏极电流(ID)和650V漏源耐压(VDSS),可满足较高功率场景的需求。导通电阻(RDON)为160mΩ,有助于降低能量损耗并提升整体效率。该器件适用于电源转换、开关电路、电机控制以及高性能电子设备中的功率管理模块,具备良好的热稳定性和快速响应特性,适合对效率与可靠性有较高要求的设计应用。
HXY MOSFET(华轩阳电子)DFN-8(8x8)
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Qg:8nC Qrr:40nC
MP(美禄科技)DFN8x8-3L
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氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数,可实现极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的QG和零QRR。最终结果是,该器件可以处理非常高开关频率和低导通时间有利的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。
EPCBGA-4
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特性:超快开关和高效率。 节省空间且高度可靠的封装。 无反向恢复电荷。 超低栅极电荷和输出电荷。 湿度等级MSL1。 工业级3x5封装。应用:电信和数据中心48V IBC。 AC-DC和DC-DC转换器同步整流
Infineon(英飞凌)VSON-6
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Infineon(英飞凌)PG-TSON-6-2
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GAN3R2 - 100CBE 是一款通用型 100 V、3.2 mΩ 的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),采用 15 凸点晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)。它是一款常关型增强模式器件,性能卓越。
Nexperia(安世)WLCSP-8(3.5x2.1)
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GAN7R0 - 150LBE是一款通用型150 V、7 mΩ的氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),采用栅格阵列(LGA)封装。它是一款常关型增强模式器件,性能卓越。
Nexperia(安世)FCLGA3
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氮化镓场效应管
RealChip(正芯半导体)TO-252
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氮化镓场效应管
RealChip(正芯半导体)DFN-8L(5x6)
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Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor
GOSEMICON(顾邦半导体)PDFN-9L(8x8)
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Infineon(英飞凌)PG-TSON-4-2
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Infineon(英飞凌)PG-LSON-8-1
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台积电流片,长电科技封装;GaN;DFN8(5X6);N—Channel沟道;650V;20A;RDS(ON)=110(mΩ)@VGS=6Vtyp(mΩ);VGS=-1.5~7;Vthtyp(V)=1.5V;采用E-MODE技术
VBsemi(微碧半导体)DFN-8(5X6)
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Infineon(英飞凌)SOP-16
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Innoscience(英诺赛科)En-FCLGA-9(3.3x3.3)
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