海量元器件型号，
快速搜索匹配。

公开页面暂无产品说明。

氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数,可实现极低的RDS(on),而其横向器件结构和多数载流子二极管则提供极低的QG和零QRR。最终结果是该器件能够处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务,以及导通状态损耗占主导的任务。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

LMG3410R050 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

特性:增强模式晶体管。 常关功率开关。 超高开关频率。 无反向恢复电荷。 低栅极电荷,低输出电荷。 符合JEDEC标准的工业应用要求。应用:AC-DC转换器。 DC-DC转换器

650V GaN-on-Silicon增强模式功率晶体管,采用双扁平无引脚封装(DFN),尺寸为5mm×6mm

公开页面暂无产品说明。

公开页面暂无产品说明。

特性:增强模式晶体管。 常关开关。 超快速开关。 无反向恢复电荷。 能够反向导通。 低栅极电荷,低输出电荷。应用:基于半桥拓扑的工业和消费类开关电源

特性:增强模式晶体管。 常关开关。 超快速开关。 无反向恢复电荷。 能够反向导通。 低栅极电荷,低输出电荷。应用:基于半桥拓扑的工业和消费类开关电源(如图腾柱PFC、高频LLC、混合反激和ACF等硬开关和软开关半桥拓扑)

增强型氮化镓-硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。底部冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结到外壳热阻。这些特性结合起来可实现非常高效的功率开关。

特性:增强模式晶体管。 常开式开关。 超快速开关。 无反向恢复电荷。 能够反向导通。 低栅极电荷,低输出电荷。应用:基于半桥拓扑的工业、电信、数据中心开关电源(如用于硬开关和软开关的半桥拓扑,如图腾柱PFC、高频LLC)

公开页面暂无产品说明。

增强模式氮化镓硅功率晶体管。氮化镓的特性允许高电流、高电压击穿和高开关频率。岛式技术单元布局实现了高电流管芯和高良率。GaNPX封装可在小封装中实现低电感和低热阻。底部冷却晶体管,为高功率应用提供极低的结壳热阻。这些特性结合在一起,可提供非常高效的功率开关。