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MACOM(镁可)-
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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本款N沟道场效应管(MOSFET)具有650V的漏源击穿电压(VDSS)和17A的额定漏极电流(ID),适用于高电压和中等功率应用场景。导通电阻(RDON)为100mΩ,可在开关过程中有效降低导通损耗,提高系统效率。该器件采用标准封装形式,具备良好的热稳定性和可靠性,适合用于电源转换、电机控制、照明驱动及各类通用开关电路中,为电路设计提供高效、稳定的性能支持。
HXY MOSFET(华轩阳电子)DFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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这款氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)具备10安培的连续漏极电流(ID)能力和650伏特的漏源电压(VDSS),导通电阻为160毫欧姆(RDON),能够有效降低系统功耗。其栅源电压范围在-1.4至+7伏特(VGS)之间,属于N型晶体管。凭借出色的开关速度与效率,该产品非常适合应用于要求高性能的电源转换、消费类电子设备以及需要快速响应时间的场景中。
HXY MOSFET(华轩阳电子)DFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Qorvo-
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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高功率密度600 V半桥驱动器,配两个增强模式GaN HEMT
ST(意法半导体)QFN-31(9x9)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)TSON-6(3x5)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(5x6)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)TSON-4(3x4)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)HDSOP-16
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)-
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)HDSOP-16
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)PDFN-8(8x8)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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Infineon(英飞凌)TSON-6(3x5)
二极管 / 晶体管氮化镓晶体管(GaN HEMT)
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