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特性:金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 低功耗,高效率。 高正向浪涌电流能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

特性:低外形,适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。 低功耗,高效率。 高电流能力,低正向压降。 高浪涌能力。 带有保护环,用于过压保护。 超高速开关。 硅外延平面芯片,金属硅结

特性:低正向压降。 高电流能力。 高可靠性。 高浪涌电流能力。应用:高速开关应用。 电路保护

特性:低正向压降。高电流能力。高可靠性。高浪涌电流能力。应用:高速开关应用。电路保护

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特性:适用于表面贴装应用。 薄型封装。 内置应力消除结构。 易于拾取和放置。 采用的塑料材料通过了UL 94 V-0认证。 极低的正向压降。 多数载流子传导。 可承受高温焊接:引脚处260°C/10秒

特性:静电放电(ESD)测试:在IEC6100-4-2标准下,SS32AL-SS36AL大于16KV,SS310AL-SS320AL大于10KV。 低外形表面贴装应用,以优化电路板空间。 低功耗,高效率。 高电流能力,低正向压降。 超高速开关。 硅外延平面芯片,金属硅结。后缀“H”表示无卤部件,如SS32ALH。无铅部件符合MIL-STD-19500/228环境标准

这款肖特基二极管,正向导通电压VF低,确保在大电流、低压差应用中实现卓越的能效与快速响应。适用于电源转换器、高频开关电路以及需要高性能整流功能的紧凑型设计中。

特性:适用于表面贴装应用。 高正向浪涌电流能力。 低功耗,高效率。 金属硅结,多数载流子传导。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。应用:用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用

可替代DO-27,贴片设计降低人工成本,广泛应用于太阳能电池、汽车电子、电脑周边、家电(适用于小空间高效率适配器电源,适配器)通信终端设备。

特性:低正向压降。用于瞬态保护的保护环结构。快速开关速度。低电容。表面贴装封装,非常适合自动插入。完全无铅且完全符合 RoHS 标准。无卤素和锑,“绿色”器件。该器件符合 JEDEC 标准,具有高可靠性

40 V、1 A STmite低压降功率肖特基整流器

肖特基整流器可提供低正向电压(VF),并在高温下具有出色的反向泄漏稳定性,适用于一般整流应用。

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外壳:JEDEC DO-214AB模压塑料。极性:色带表示阴极。安装位置:任意。重量:0.009盎司,0.25克

特性:高可靠性。 小功率模具类型。 低VF。应用:一般整流

直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):0.85V@5A 反向电流(Ir):50μA@100V 正向浪涌电流(Ifsm):125A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

具有集成保护环以提供应力保护的平面肖特基势垒二极管,采用SOD523(SC 79)超小型表面贴装器件(SMD)塑料封装。

VS - 10BQ060 - M3表面贴装肖特基整流器专为需要低正向压降和在印刷电路板上占用极小空间的应用而设计。典型应用包括磁盘驱动器、开关电源、转换器、续流二极管、电池充电和电池反接保护。

整流二极管