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应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流。用于消费类应用的续流二极管

本产品为快恢复二极管,额定正向电流IF为1A,反向耐压VR为1000V,适用于需要快速响应和高效整流的电路应用。导通状态下正向压降VF为1.7V,在高频工作条件下仍能保持稳定性能;反向漏电流IR仅为5μA,具有良好的阻断特性和低损耗优势。器件可承受最大非重复正向浪涌电流IFSM达30A,具备较强的瞬态过载能力。该二极管广泛应用于电源适配器、充电设备及高频开关电路中,满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。

特性:高效率。 高电流能力。 高可靠性。 高浪涌电流能力。 低功耗。 浸焊温度最高260°C,持续10 s,符合JESD 22-B106标准。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流。 用于消费、汽车和电信领域的续流二极管

特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。 高温冶金结合结构。 无腔体玻璃钝化结。 能够满足MIL-S-19500环境标准。 适用于高频整流电路。 快速开关,效率高。 典型反向电流小于1.0μA。 保证高温焊接:260°C/10秒。 重量:0.26g。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用;通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力

特性:高效率。 高电流能力。 高可靠性。 高浪涌电流能力。 低功耗。 浸焊温度最高260°C,持续10秒,符合JESD 22-B106标准。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流。 用于消费、汽车和电信领域的续流二极管

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该标准恢复整流器适用于电源和其他应用。

特性:重复峰值反向电压:VRRM = 400 V。 平均正向电流:IFUM = 1.0 A。 峰值正向电压:VFM = 1.1 V(最大值),IFM = 0.7 A(脉冲测量)。 高ESD保护。 使用小型、薄型表面贴装封装,是高密度安装的最佳方式。应用:通用整流器

特性:周期性峰值反向电压。 塑料外壳。 重量约。 塑料材料具有UL 94V-0等级。 外壳材料UL94V-0等级

最先进的超快速恢复整流器,专为优化正向压降和超快速恢复时间的性能而设计。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件旨在用于缓冲器、升压、照明,作为高频整流器和续流二极管。极其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗并降低开关元件的功耗。

特性:低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 浸焊温度最高275°C,持续10s(符合JESD 22-B106)。 RoHS合规。应用:用于电源、逆变器、转换器的通用整流以及续流二极管应用

具有超快恢复时间,正向压降和超快恢复时间性能经过优化。平面结构和铂掺杂寿命控制保证了最佳的整体性能、耐用性和可靠性。这些器件用于开关电源、不间断电源、DC/DC 转换器的输出整流阶段,以及低压逆变器和斩波电机驱动器中的续流二极管。其优化的存储电荷和低恢复电流可最大限度地减少开关损耗,并减少开关元件和缓冲器的过度耗散。

高压二极管

微波炉用高压二极管

特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极低的正向压降。 改善的热性能。 行业标准外形。 符合RoHS标准。应用:主整流二极管。 单三相桥式配置

是可焊接的倒装芯片铝镓砷化物(AlGaAs)PIN二极管。采用MOCVD生长外延工艺制造,优化了器件间的均匀性,产生极低的寄生效应。二极管具有极低的RC乘积(0.1 ps)和2-3 ns的开关速度。芯片采用氮化硅完全钝化,并增加了BCB聚合物层以防止刮擦。BCB保护涂层可防止在处理和组装过程中对二极管结区和阳极空气桥造成损坏。超低电容允许在毫米波频率下用于射频开关和移相器应用。设计用于脉冲或连续波应用,需要个位数纳秒的开关速度。低电容使其适用于许多微波多掷开关组件,其中每个“关断”端口的串联电容会对输入产生不利负载并影响电压驻波比。

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涵盖了广泛的电气特性和封装外形,半导体技术与芯片封装的结合为电路设计人员提供了相当大的灵活性。快速开关系列采用薄I区、氧化硅或玻璃钝化芯片,具有低泄漏电流和低插入损耗。通过过程控制监视器调节晶圆制造参数,这些器件在控制电路应用中能实现一致的性能。高压产品线采用CERMACHIP钝化工艺,提供硬玻璃封装,对芯片的有源区域进行密封和保护。适用于存在高电平RF电压的高功率应用。二极管芯片封装在密封陶瓷封装中,适用于最严格的电气和环境条件。有多种封装样式可供选择,可用于各种RF微波电路。设计具有高固有可靠性。

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二极螺纹管正向70A/1600V