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二极管 / 晶体管型号

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特性:适用于印刷电路板。 体积小,安装简单。 高浪涌电流能力。 采用模塑塑料技术,可靠且成本低。 保证高温焊接:260°C下10秒,拉力5lbs(2.3kg)。应用:通用单相桥式整流器应用

R+O(宏嘉诚)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):4A 正向压降(Vf):1.1V@3A 反向电流(Ir):5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm):125A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)MSBL
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用贴片整流器GPP工艺

baocheng(宝乘)SMD-4P,7.4x6.7mm
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用插件整流器

baocheng(宝乘)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

GOODWORK(固得沃克)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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95MIL

XUMAO(旭茂微)MSB
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:额定电压达1000V PRV,适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,结构可靠且成本低。 塑料材料具有UL 94V-0阻燃等级。 G后缀表示光刻芯片,否则为刀刮芯片

BORN(伯恩半导体)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:反向电压:40至200V。 正向电流:1A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。体积小,安装简单。高浪涌电流能力。采用模塑塑料技术,结构可靠,成本低。保证高温焊接:260°C 下持续 10 秒,拉力 5 lbs. (2.3 kg)。应用:通用单相桥式整流器应用

R+O(宏嘉诚)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。 体积小,安装简单。 高浪涌电流能力。 采用模塑塑料技术,结构可靠且成本低。 保证高温焊接:260°C下持续10秒,张力5lbs(2.3kg)。应用:通用单相桥式整流器应用

R+O(宏嘉诚)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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MB 系列桥式整流器是 0.5 A 整流器系列,实现高浪涌电流吸收,占位极小MB 系列外形小为 35 mm2,具有极佳的浪涌能力。为了吸收高浪涌电流,该设计支持正向浪涌峰值电流 (IFSM) 额定值 35 A 和 5.0 A 2 秒 I2T 能力。该系列器件还具有高达 1000 V 的额定击穿电压。这些特性使得 MB 系列适用于需要略强浪涌能力的小型电源。如果需要更高的 IFAV 额定电流,更小型封装,或者更低 VF 值,请了解安森美半导体 MDB 系列桥式整流器。如果需要降低 MB 封装内的 VF 和提高能效值,甚至更高的浪涌能力,或需要更高的浪涌能力,请了解安森美半导体即将推出的 MBxSV 系列。

onsemi(安森美)SOIC-4
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。 体积小,安装简单。 高浪涌电流能力。 采用模塑塑料技术,可靠且成本低。 保证高温焊接:在5lbs(2.3kg)张力下,260°C持续10秒。应用:通用单相桥式整流器应用

R+O(宏嘉诚)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用插件整流器BR-6封装

MDD(辰达半导体)BR-6
二极管 / 晶体管整流桥
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公开页面暂无产品说明。

R+O(宏嘉诚)ULBF
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用插件整流器

MDD(辰达半导体)KBPC-25
二极管 / 晶体管整流桥
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46MIL

YONGYUTAI(永裕泰)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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这款整流桥具备1000V的高电压承受能力和0.8A的电流承载能力,其压降仅为1V,有效保证了电能的有效转换。适用于多种电子设备中,确保电源的稳定性和可靠性。其卓越性能,能够满足多样化的应用场景需求。

TDSEMIC(拓电半导体)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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60MIL

XUMAO(旭茂微)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000V。 正向电流:0.8A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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1A,46MIL(非标准版)

晶导微电子UMB
二极管 / 晶体管整流桥
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