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二极管 / 晶体管型号

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特性:低外形封装。 玻璃钝化芯片结。 易于拾取和放置。 高正向浪涌能力。 高温焊接:260°C/10秒(端子处)。 符合欧盟ROHS 2011/65/EU指令,无铅

JUXING(钜兴)IBS
二极管 / 晶体管整流桥
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这款整流桥具备1000V的高电压承受能力和1A的电流输出,压降仅为1100mV,有效确保电能转换效率。适用于多种电子设备中,为用户提供稳定可靠的电力支持,是电子系统不可或缺的组成部分。

HXY MOSFET(华轩阳电子)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100 至 1000 V。 正向电流:0.8 A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100 至 1000 V。 正向电流:1 A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 高浪涌过载额定值:30A峰值。 节省印刷电路板空间。 保证高温焊接:260°C/10秒,拉力5磅(2.3kg)

LGE(鲁光)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压 -100 至 1000V。 正向电流 -1A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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R+O(宏嘉诚)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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R+O(宏嘉诚)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:低反向电压泄漏电流。 玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高正向浪涌电流能力。 小型表面贴装器件

HKT(合科泰)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:IF(AV) 1A-VRRM 50V-1000V。高浪涌电流能力。玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用

CJ(江苏长电/长晶)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:浪涌过载额定值达30安培峰值。 低剖面表面贴装迷你双列直插式桥接器中的1.0A额定值,节省印刷电路板空间。 适合自动化替换。 采用模塑塑料技术的可靠低成本结构,产品价格低廉。 硅外延芯片,金属硅结。 无铅部件符合RoHS要求

FUXINSEMI(富芯森美)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适合印刷电路板安装。 所用塑料材料具有UL 94V-0阻燃认证。 内置印刷电路板支撑。 高外壳介电强度。 保证在5磅(2.3kg)拉力下260°C/5秒的高温焊接

DOWO(东沃)DIP-4
二极管 / 晶体管整流桥
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

GOODWORK(固得沃克)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用整流器,可用于开关电源,PD快充等桥式整流

MDD(辰达半导体)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用插件整流器

MDD(辰达半导体)DIP-4
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:反向电压:40至200V。 正向电流:1A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结-反向电压。 1000 V-正向电流。 5.0 A-高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:反向电压:40 至 200V。 正向电流:2A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用整流器,可用于开关电源,PD快充等桥式整流

MDD(辰达半导体)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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130MIL

XUMAO(旭茂微)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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