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二极管 / 晶体管型号

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Zhengxin(正芯)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高电流能力。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

UMW(友台半导体)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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应用于各类电源转换、逆变器等等,为您的电路设计实现更优的性能表现和能源利用率。

JSMSEMI(杰盛微)SOP-4
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:浪涌过载额定值:30A峰值。节省印刷电路板空间。适合自动更换。采用模塑塑料技术,可靠且低成本。玻璃钝化芯片结。无铅部件符合RoHS要求。后缀“-H”表示无卤部件

FUXINSEMI(富芯森美)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:表面贴装封装。 玻璃钝化二极管结构。 防潮环氧外壳。 高浪涌电流能力

UMW(友台半导体)MBS-1
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:高电流能力。 低正向压降。 玻璃钝化芯片结。 低功耗,高效率。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

YFW(佑风微)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,可靠且低成本。 保证高温焊接:260°C/10秒,拉力5lbs. (2.3kg)。 体积小,安装简单。 高浪涌电流能力

Slkor(萨科微)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:浪涌过载额定值达30A峰值。 节省印刷电路板空间。 适合自动更换。 采用模塑塑料技术,可靠且成本低。 玻璃钝化芯片结。 无铅部件符合RoHS要求。 后缀 “- H” 表示无卤部件

FUXINSEMI(富芯森美)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计。 塑料材料-UL 可燃性 94V-Q

Slkor(萨科微)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000V。 正向电流:0.8A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@500mA 正向浪涌电流(Ifsm):35A

TDSEMIC(拓电半导体)SOF2-4
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000V。 正向电流:1.2A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:高电流能力。 低正向压降。 玻璃钝化芯片结。 低功耗,高效率。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

YFW(佑风微)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm):30A

NH(纽航)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100 至 1000 V。 正向电流:0.8 A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特征:反向电压1000V,正向电流0.8A、正向压降≤1.0V@0.8A,LBS/MBF封装;功能:市电AC-DC整流;应用:小功率充电器,适配器,辅助电源,LED驱动器等

AnBon(安邦)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1V@1A 正向浪涌电流(Ifsm):35A

NH(纽航)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向电流(Ir):10μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm):30A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:塑料材料具有UL 94V-0阻燃认证。 适用于印刷电路板应用。 可承受260°C高温焊接5秒,拉力5磅(2.3kg)

DOWO(东沃)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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JUXING(钜兴)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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