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用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压容差为±10%。添加后缀“A”可实现±5%的容差,添加后缀“B”可实现±2%的容差。其他容差可按需提供。

用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压容差为±10%。添加后缀“A”可实现±5%的容差,添加后缀“B”可实现±2%的容差。其他容差可按需提供。

0.9V,250mW

丝印M1

5.6V 1W

特性:平面芯片结构。 小表面贴装封装。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准,具有高可靠性

特性:平面芯片结构。 150mW功率耗散。 齐纳电压范围为2.4-43V

10V 1W

5.6V 1W

这系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装,旨在以最小的空间需求提供电压调节,非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

特性:500mW 功率耗散。 通用、中等电流。 非常适合自动化组装工艺。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准,具有高可靠性

采用小型密封玻璃SOD80C表面贴装器件(SMD)封装的低功耗稳压二极管。这些二极管有符合E24标准、公差为±2%(BZV55 - B)和近似±5%(BZV55 - C)的规格可供选择。该系列包含37种型号,标称工作电压从2.4 V 至 75 V

二极管配置:独立式 稳压值(标称值):15V 稳压值(范围):14.34V~14.98V 耗散功率(Pd):400mW

1.8V 0.5W

特性:硅平面功率齐纳二极管。用于具有高功率额定值的稳压和限幅电路。标准齐纳电压公差为 ±10%,添加后缀 “A” 可实现 ±5% 公差,其他齐纳电压和公差可按需提供

这款稳压二极管,适合于各类高精度稳压及电路保护应用场景,以强大的功能性和稳定性满足您的多元化需求。

特性:低齐纳阻抗。 功率耗散为 1000mW。 高稳定性和高可靠性。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260°C。应用:齐纳二极管通常用作稳压电源中的参考电压源或过压保护电路中的保护二极管

通用贴片稳压二极管,精度5%,较低的IR漏电流