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二极管 / 晶体管型号

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特性:反向电压:40至200V。 正向电流:3A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:UL认证,文件编号:E230084。适用于印刷电路板。高浪涌电流能力。浸焊最高温度275°C,持续7s,符合JESD 22-B106标准。应用:开关电源、家用电器、办公设备、工业自动化应用中的AC/DC桥式全波整流通用用途

YANGJIE(扬杰)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:反向电压:1000V。正向电流:6.0A。快速反向恢复时间。专为表面贴装应用设计

晶导微电子ULBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:无铅涂层/符合RoHS标准。 无卤素,“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级

MCC(美微科)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

GOODWORK(固得沃克)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于印刷电路板。 玻璃钝化结芯片。 低反向泄漏。 高正向浪涌电流能力。 端子可承受250°C/10秒高温焊接。 G后缀用于光刻芯片,否则为刀刮芯片

BORN(伯恩半导体)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):12A 正向压降(Vf):0.97V@12A 反向电流(Ir):5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm):350A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)HBL
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:Io 6A-VRRM 50V-1000V。 高浪涌电流能力。 玻璃钝化芯片。应用:通用单相桥式整流器应用

CJ(江苏长电/长晶)KBU
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):8A 正向压降(Vf):0.97V@8A 反向电流(Ir):5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm):220A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)HBL
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用整流器,可用于开关电源,PD快充等桥式整流

MDD(辰达半导体)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):6A 正向压降(Vf):1.1V@3A 反向电流(Ir):10μA@800V 正向浪涌电流(Ifsm):160A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)KBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,可靠且成本低。 塑料材料具有UL 94V-0阻燃等级。 安装位置:任意。 玻璃钝化芯片结

LGE(鲁光)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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110MIL

XUMAO(旭茂微)GBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:反向电压:800V和1000V。 正向电流:6.0A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子ULBF
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用整流器,可用于开关电源,PD快充等桥式整流

baocheng(宝乘)KBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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整流桥 25A 1000V

TDSEMIC(拓电半导体)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高电流能力。 高浪涌电流能力。 塑料材料,UL 可燃性 94V-0。 G 后缀用于光刻芯片,否则为刀刮芯片

BORN(伯恩半导体)GBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:极性:如本体标记。额定电压至1000V PRV。适用于印刷电路板。采用模塑塑料技术,可靠且低成本。塑料材料具有U/L可燃性等级94V-0。安装位置:任意。重量:0.24盎司,6.79克

LGE(鲁光)GBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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GBJ3508A-B1-0000

YANGJIE(扬杰)6KBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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GBU2506-B1-0000

YANGJIE(扬杰)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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