直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):4A 正向压降(Vf):1.25V@4A 正向浪涌电流(Ifsm):90A
SY(顺烨)MSB
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:额定值达1000V PRV。 适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,可靠且成本低。 塑料材料具有UL 94V-0级阻燃等级。 G后缀用于光刻芯片,否则为刀刮芯片
BORN(伯恩半导体)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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84MIL
XUMAO(旭茂微)GBP
二极管 / 晶体管整流桥
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芯片采用台面结构,具有较好的抗浪涌能力,适用于各类工频整流电路。
XCH(旭昌辉)HBS
二极管 / 晶体管整流桥
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整流桥配置 独立式;单向整流;正向压降(VF) 1.1V@4000mA;直流反向耐压(VR) 1000V;整流电流 4000mA;非重复峰值浪涌电流 (IFSM) 35A;反向电流 (IR) 5uA@1000V;工作结温范围 - 55°C~+150°C
TDD(台冠电子)MSB
二极管 / 晶体管整流桥
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采用ABS封装的MINI桥堆.专为表面贴装应用而设计
GOODWORK(固得沃克)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向电压驱动。 浪涌过载额定值达30A峰值。 非常适合自动组装。 微型封装节省印刷电路板空间。 无铅表面处理,符合RoHS标准
DIODES(美台)MiniDIP
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:高电流能力。 低正向压降。 玻璃钝化芯片结。 低功耗,高效率。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
YFW(佑风微)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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插件单相整流桥
XCH(旭昌辉)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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DBL206-B1-0000HF
YANGJIE(扬杰)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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芯片采用光阻工艺,具有较好的抗浪涌能力,适用于各类工频整流电路。
Hangyu(航昱微)HBS
二极管 / 晶体管整流桥
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用
GOODWORK(固得沃克)GBU
二极管 / 晶体管整流桥
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芯片采用光阻工艺,具有较好的抗浪涌能力,适用于各类工频整流电路。
Hangyu(航昱微)HBS
二极管 / 晶体管整流桥
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贴片整流桥8A 1000V
TDSEMIC(拓电半导体)HBS
二极管 / 晶体管整流桥
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DBL156-B1-0000HF
YANGJIE(扬杰)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用贴片整流器GPP工艺
MDD(辰达半导体)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:反向电压:40至200V。正向电流:3A。高浪涌电流能力。专为表面贴装应用设计
晶导微电子MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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DBL157-B1-0000HF
YANGJIE(扬杰)DB
二极管 / 晶体管整流桥
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普通一般通用整流器,可用于开关电源,PD快充等桥式整流
baocheng(宝乘)KBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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84MIL-FR
XUMAO(旭茂微)HBS
二极管 / 晶体管整流桥
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