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二极管 / 晶体管型号

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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压-100 至 1000 V。 正向电流-1 A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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全自动蓝膜固晶组焊工艺

DIYI(迪一/芯诺)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结-反向电压。 100 至 800 V-正向电流。 1.0 A-快速反向恢复时间。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000V。 正向电流:0.8A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。反向电压:100至1000V。正向电流:2A。高浪涌电流能力。专为表面贴装应用设计

晶导微电子ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:RoHS合规。 承受浪涌电流能力大:200A(@8/20μs)。 钳位电压较低,在振铃波测试中性能出色。 无铅涂层/RoHS合规。 绿色模塑料(无卤素和锑)。 玻璃钝化芯片结。 浪涌电流能力高。 专为表面贴装应用设计

晶导微电子UMBT
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):1000V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):1.3V@3A 反向恢复时间:500ns 正向浪涌电流(Ifsm):80A

NH(纽航)TMBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于印刷电路板。 采用模塑塑料技术,结构可靠且成本低。 保证高温焊接:在5磅(2.3kg)拉力下,260°C持续10秒。 尺寸小,安装简单。 高浪涌电流能力

MSKSEMI(美森科)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:塑料材料具有UL 94V-0阻燃认证。浪涌过载额定值达30A。适用于印刷电路板应用。保证在260°C/5秒、5 lbs (2.3kg)拉力下可进行高温焊接

Slkor(萨科微)DF-S
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100-1000V。 平均整流输出电流:1A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

LJ(朗捷)UMB
二极管 / 晶体管整流桥
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High Diode(海德)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.3V@2A 反向恢复时间:85~350ns 正向浪涌电流(Ifsm):70A

NH(纽航)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化二极管结构。 保证高温焊接:260°C/10秒,节省印刷电路板空间。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无铅涂层/Rohs合规

MCC(美微科)MBS-1
二极管 / 晶体管整流桥
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有效保证了电能的有效转换。适用于多种电子设备中,确保电源的稳定性和可靠性。其卓越性能,能够满足多样化的应用场景需求。

TDSEMIC(拓电半导体)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结-反向电压。100 至 1000 V-正向电流。4.0 A-高浪涌电流能力。专为表面贴装应用设计

SHIKUES(时科)UMSB
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:高电流能力。 低正向压降。 玻璃钝化芯片结。 低功耗,高效率。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品

YFW(佑风微)DBS
二极管 / 晶体管整流桥
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84MIL

Hangyu(航昱微)KBP
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1.1V@2A 反向电流(Ir):10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):50A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)DB-S
二极管 / 晶体管整流桥
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直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1.5A 正向压降(Vf):1.1V@1.5A 反向电流(Ir):10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):50A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

baocheng(宝乘)DB-S
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:适用于自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 高浪涌电流能力。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C。应用:开关电源、照明镇流器、适配器、电池充电器、家用电器、办公设备和电信应用中的高频AC/DC桥式全波整流通用用途

YANGJIE(扬杰)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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