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此款KBL608-MS是KBL扁桥封装整流桥堆,平均正向整流电流6A、反向峰值电压800V,适配中功率负载与多电压场景且抗瞬间电流冲击,其内置 GPP 芯片,6A电流下导通压降仅1.1V、损耗低、电能转换效率高,25°C时反向漏电流 10μA、绝缘性优,还能在-55°C至150°C宽温环境稳定工作,可用于开关电源、充电器、适配器前端整流,LED照明驱动,空调、冰箱等家电整流滤波及电动工具电源系统、太阳能逆变器前段整流。

此款KBL410-MS是一款KBL扁桥封装整流桥堆,核心参数:平均正向整流电流 4A、浪涌电流200A反向峰值电压 1000V。优点:内置GPP芯片,导通压降低、漏电流小(25°C时 10μA),-55°C至 150°C宽温稳定,引脚抗氧化。应用于开关电源、LED驱动、手机充电器、小型家电及太阳能小功率逆变器前端整流。

特性:塑料封装,符合UL 94V-0阻燃等级。 适用于印刷电路板。 玻璃钝化结芯片。 低反向泄漏。 高正向浪涌电流能力。 保证在250°C下10秒可进行高温焊接。 G后缀用于光刻胶芯片,否则为刀刮芯片

该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

DBL155-B1-0000HF

此款半导体器件为KBL封装的高性能整流桥,专为高电流、低损耗应用设计。其关键参数包括VR最大值600V,确保在中高压环境下稳定工作;VF表现为1.1V@6A,意味着即使在满载电流6A时,其压降仍控制在极低水平,有效提高能效和降低热损耗;额定输出电流IO为6A,提供强大而持久的电力转换性能。适用于各类电源供应、逆变器等大电流电子设备,是提升系统效能及可靠性的理想组件选择。

整流桥 电压:800V 电流:4A 正向压降(Vf):1.1V 直流反向耐压(Vr):800V 平均整流电流(Io):4A 正向浪涌电流(Ifsm):150A

GBP308A-B1-0000HF

特性:玻璃钝化芯片结。 采用模塑塑料技术,可靠且成本低。 适用于印刷电路板。 低正向压降。 低反向漏电流。 高浪涌电流能力

描述: 88MIL(非标准版) 正向压降(Vf): 1.1V@8A 直流反向耐压(Vr):1KV 整流电流: 8A 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):150A 工作结温范围:-55°C~+150°C@(TJ)

耐压:1000V 电流:2A

84MIL

特性:塑料封装符合UL 94V-0阻燃等级,适用于印刷电路板。 玻璃钝化结芯片。 低反向泄漏。 高正向浪涌电流能力。 保证在250°C/10秒的高温焊接条件下,引脚性能良好。 G后缀表示光刻芯片,否则为刀刮芯片

该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用

特性:UL认证,文件编号 #E313149。玻璃钝化芯片结。适合自动贴装。高浪涌电流能力。符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260°C。应用:开关电源。照明镇流器

直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.1V@5A 反向电流(Ir):10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):200A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)

芯片采用台面结构,具有较好的抗浪涌能力,适用于各类工频整流电路。

特性:反向电压:40 至 200V。 正向电流:3A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计

此款KBL810-MS为KBL扁桥封装整流桥堆,VRRM:1000V抗高反向电动势,I(AV)8A 稳承中大功率负载。内置GPP芯片,8A时正向压降约1.1V、损耗低,25°C下 1000V反向漏电流仅10μA;-55°C至150°C宽温适配,应用上,可用于开关电源、充电器前端整流,LED 驱动稳流减闪烁,家电交直转换,太阳能逆变器前段,及工业控制、通信设备电源模块。

直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):6A 正向压降(Vf):1.1V@3A 反向电流(Ir):10μA@600V 正向浪涌电流(Ifsm):160A 工作温度:-55°C~+150°C@(Tj)