三相整流桥
YFW(佑风微)SGBJ
二极管 / 晶体管整流桥
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三相整流桥
YFW(佑风微)插件
二极管 / 晶体管整流桥
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M10
YFW(佑风微)M10
二极管 / 晶体管整流桥
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一系列极其紧凑的封装式三相桥式整流器,可提供高效可靠的运行。它们适用于通用和重载应用。
VISHAY(威世)MTK
二极管 / 晶体管整流桥
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全自动蓝膜固晶组焊工艺
DIYI(迪一/芯诺)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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描述: 46MIL(非标准版)正向压降(Vf): 1.0V@0.8A 直流反向耐压(Vr): 1kV 整流电流: 800mA 反向电流(Ir): 5uA@1kV 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm):30A 工作结温范围:-55°C~+150°C@(TJ)
DDF(鼎德丰)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:低外形空间。 适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 低正向压降。 低漏电流。 高正向浪涌能力。 高温焊接:在端子处260°C/10秒
SY(顺烨)SOF2-4
二极管 / 晶体管整流桥
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整流桥配置 独立式;单向整流;正向压降(VF) 1.1V@800mA;直流反向耐压(VR) 600V;整流电流 800mA;非重复峰值浪涌电流 (IFSM) 35A;反向电流 (IR) 5uA@600V;芯片尺寸 46MIL,超薄 MBF 封装;工作结温范围 - 55°C~+150°C
TDD(台冠电子)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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反向电压-100至1000V,正向电流-1A
SHIKUES(时科)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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整流桥配置 独立式;单向整流;正向压降(VF) 1.1V@800mA;直流反向耐压(VR) 1000V;整流电流 800mA;非重复峰值浪涌电流 (IFSM) 35A;反向电流 (IR) 5uA@1000V;芯片尺寸 46MIL,超薄 MBF 封装;工作结温范围 - 55°C~+150°C
TDD(台冠电子)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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这款整流桥具备1000V的高电压承受能力和0.8A的电流承载能力,其压降仅为1V,有效保证了电能的有效转换。适用于多种电子设备中,确保电源的稳定性和可靠性。其卓越性能,能够满足多样化的应用场景需求。
HXY MOSFET(华轩阳电子)MBS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高电流能力。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计
UMW(友台半导体)MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结构。 低正向压降。 高电流能力。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计。 塑料材料-UL 可燃性 94V-OL UL 认证文件编号 E476623
JUXING(钜兴)MBS
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直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):2A 正向压降(Vf):1V@2A 正向浪涌电流(Ifsm):70A
NH(纽航)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000 V。 正向电流:0.5 A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计
晶导微电子MBF
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结-反向电压。100 至 1000V-正向电流。1.0A-高浪涌电流能力。专为表面贴装应用设计
TDD(台冠电子)ABS
二极管 / 晶体管整流桥
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特性:玻璃钝化芯片结。 反向电压:100至1000V。 正向电流:0.8A。 高浪涌电流能力。 专为表面贴装应用设计
SHIKUES(时科)MBF
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普通一般通用贴片整流器GPP工艺
baocheng(宝乘)SMD-4P
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1A 600V
TDSEMIC(拓电半导体)MBF
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该整流桥器件适用于各类电源适配器转换等应用
GOODWORK(固得沃克)MBF
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